在全球新能源汽車加速普及的今天，續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點，高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切，1200V SiC功率器件成為行業(yè)競相攻堅的焦點。在這一趨勢下，聞泰科技半導體業(yè)務近期推出領先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。

持續(xù)研發(fā)投入

加速布局高壓功率市場

2024年，聞泰科技半導體業(yè)務研發(fā)投入為18億元，為技術突破與產品創(chuàng)新筑牢根基。2025年第一季度，多款第三代半導體及模擬芯片產品密集落地，從1200V SiC MOSFET、增強型（e-mode）GaN FET等前沿功率器件，到LED驅動芯片、LDO芯片等模擬產品，全方位覆蓋“從低壓到高壓、從功率到模擬”的產品矩陣，形成強有力的技術護城河。

其中，1200V SiC MOSFET成為核心亮點之一。憑借卓越性能，它不僅精準適配電動汽車車載充電器（OBC）、牽引逆變器等核心場景，大幅提升新能源汽車的動力轉換效率與續(xù)航能力，在光伏、風電、儲能等綠色能源領域同樣潛力巨大。

在“雙碳”戰(zhàn)略驅動下，全球對高效低耗電力電子器件的需求呈爆發(fā)式增長，SiC市場潛力巨大。Yole Group預測，到2029年，功率SiC器件市場規(guī)模將突破100億美元。聞泰科技半導體業(yè)務積極布局，與行業(yè)趨勢高度契合，有望在這場百億級市場競爭中成為推動行業(yè)變革的關鍵力量。

創(chuàng)新技術突破

持續(xù)賦能汽車電動化

在新能源汽車中，SiC MOSFET的性能至關重要，其中導通電阻RDS（on）作為關鍵參數，直接影響傳導損耗。此次推出器件的RDS（on）分別為30、40和60 mΩ，憑借創(chuàng)新工藝技術，聞泰科技半導體業(yè)務實現了業(yè)界領先的RDS（on）溫度穩(wěn)定性——在25°C至175°C范圍內，RDS（on）標稱值僅增加38%，顯著優(yōu)于市場同類產品。

這一技術突破不僅保障了汽車性能穩(wěn)定，還實現了更高的功率輸出。與其他供應商相比，搭載該技術的SiC MOSFET器件能在相同RDS（on）下釋放更多功率，具備顯著成本優(yōu)勢。此外，公司還表示：今年將計劃陸續(xù)推出17 mΩ和80 mΩ RDS（on）的車規(guī)級SiC MOSFET。雖然現階段SiC產品在公司業(yè)務中占比尚小，但產品的不斷擴充，體現了公司堅守研發(fā)承諾，促進技術發(fā)展的決心。

憑借過硬實力，聞泰科技于2024年5月推出的1200V SiC MOSFET榮獲“2024年度全球電子成就獎—年度功率半導體產品獎”，彰顯公司在全球功率半導體市場的領先地位。

在產能布局方面，公司在2024年6月宣布了約2億美金的8英寸SiC器件產線投資，目前部分設備已進場，預計在未來幾年內建成投產。

未來，隨著全球新能源汽車對高效低耗電力電子器件需求持續(xù)攀升，聞泰科技半導體業(yè)務將憑借持續(xù)的技術創(chuàng)新與產品優(yōu)化，鞏固行業(yè)優(yōu)勢地位，為汽車電動化及全球半導體行業(yè)發(fā)展持續(xù)賦能。