亚洲av成人精品日韩一区,97久久久精品综合88久久,玩弄japan白嫩少妇hd,亚洲av片不卡无码久久,玩弄人妻少妇500系列

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      標(biāo)簽　>　SiC

      SiC

      +關(guān)注 0人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章： 2836 個(gè)
      視頻： 20 個(gè)
      瀏覽： 65149 次
      帖子： 124 個(gè)
      • 詳情
      • 知識(shí)
      • 相關(guān)內(nèi)容

      SiC簡介

      　　金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

      SiC百科

      　　金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

      　　制作工藝

      　　由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。

      　　碳化硅（SiC）因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一，它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊［或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂（也稱：石榴子石）的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時(shí)還要添加適量食鹽）經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專用的碳化硅電爐，其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體（全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連）等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高（2600～2700℃），爐料達(dá)到1450℃時(shí)開始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃時(shí)形成），且放出co。然而，≥2600℃時(shí)SiC會(huì)分解，但分解出的si又會(huì)與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產(chǎn)時(shí)只對(duì)單一電爐供電，以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束，再經(jīng)過一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻，然后逐步取出爐料。

      　　高溫煅燒后的爐料從外到內(nèi)分別是：未反應(yīng)料（在爐中起保溫作用）、氧碳化硅羼（半反應(yīng)料，主要成分是C與SiO。）、粘結(jié)物層（是粘結(jié)很緊的物料層，主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽）、無定形物層（主要成分是70%～90%SiC，而且是立方SiC即β-sic，其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽）、二級(jí)品SiC層（主要成分是90%～95%SiC，該層已生成六方SiC即口一SiC，但結(jié)晶體較小、很脆弱，不能作為磨料）、一級(jí)品SiC層（SiC含量《96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大結(jié)晶體）、爐芯體石墨。在上述各層料中，通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級(jí)品、部分粘結(jié)物一起收集為回爐料，而一些粘結(jié)很緊、塊度大、雜質(zhì)多的粘結(jié)物則拋棄之。而一級(jí)品則經(jīng)過分級(jí)、粗碎、細(xì)碎、化學(xué)處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過水選過程；要做成碳化硅制品還要經(jīng)過成型與結(jié)燒的過程。

      查看詳情

      sic知識(shí)

      展開查看更多

      sic技術(shù)

      Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：頂部散熱封裝

      Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：頂部散熱封裝

      電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近Wolfspeed的破產(chǎn)消息給業(yè)界帶來了不小的震撼，雖然在資本層面面臨危機(jī)，不過Wolfspeed當(dāng)前的業(yè)務(wù)還是在正常推進(jìn)的。...

      2025-07-08 標(biāo)簽：SiCWolfspeed 2069 0

      Wolfspeed破產(chǎn)引爆全球SiC市場(chǎng)！產(chǎn)業(yè)鏈上誰在搶灘？

      Wolfspeed破產(chǎn)引爆全球SiC市場(chǎng)！產(chǎn)業(yè)鏈上誰在搶灘？

      電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 6月30日，美國SiC功率器件巨頭Wolfspeed申請(qǐng)破產(chǎn)，主要原因是Wolfspeed目前面臨巨大的債務(wù)壓力，其總體債務(wù)高達(dá)6...

      2025-07-02 標(biāo)簽：SiCWolfspeed 6086 0

      Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET...

      2025-07-10 標(biāo)簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 122 0

      Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級(jí)故障保護(hù)收發(fā)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級(jí)故障保護(hù)收發(fā)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級(jí)故障保護(hù)收發(fā)器是一款具有信號(hào)改善能力 (SIC) 的高速控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)...

      2025-07-09 標(biāo)簽：收發(fā)器局域網(wǎng)SiC 126 0

      GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

      GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

      GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...

      2025-07-09 標(biāo)簽：機(jī)器人晶體管SiC 980 0

      解鎖高效驅(qū)動(dòng)！onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板全解析

      解鎖高效驅(qū)動(dòng)！onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板全解析

      NCP51752是一款隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品，具備+4.5A源極電流和-9A吸收峰值電流，專為快速切換設(shè)計(jì)，能夠驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiCMOS...

      2025-07-09 標(biāo)簽：SiConsemiNCP51752 476 0

      浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)

      浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)

      本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連...

      2025-07-08 標(biāo)簽：MOSFET封裝SiC 129 0

      碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

      碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

      一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性，進(jìn)給參數(shù)控制切割過...

      2025-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 159 0

      揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)

      揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)

      /引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si）器件，成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么，SiC到底有何獨(dú)特之處？特別是在...

      2025-07-02 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC電容效應(yīng) 167 0

      CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

      CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

      之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOS...

      2025-06-23 標(biāo)簽：MOSFETSiC仿真電路 207 0

      查看更多>>

      sic資訊

      Nexperia推出兩款1200V SiC肖特基二極管

      基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(Si...

      2025-07-11 標(biāo)簽：肖特基二極管SiCNexperia 284 0

      安森美SiC JFET產(chǎn)品應(yīng)用研討會(huì)預(yù)告

      隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電力電子技術(shù)的進(jìn)步，固態(tài)斷路器 (SSCB) 的性能持續(xù)提升。新型半導(dǎo)體材料（如碳化硅）提供了更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通損耗和更高的耐壓...

      2025-07-10 標(biāo)簽：安森美JFET斷路器 176 0

      混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車的最優(yōu)解?

      混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車的最優(yōu)解?

      絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開關(guān)損耗和較...

      2025-07-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器IGBT 842 0

      新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品

      新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品

      新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分...

      2025-07-08 標(biāo)簽：MOSFETSiC 322 0

      SiC MOSFET的基本概念

      隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深，寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點(diǎn)。碳化硅（SiC）作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，因...

      2025-07-08 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 204 0

      Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：頂部散熱封裝

      Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：頂部散熱封裝

      電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近Wolfspeed的破產(chǎn)消息給業(yè)界帶來了不小的震撼，雖然在資本層面面臨危機(jī)，不過Wolfspeed當(dāng)前的業(yè)務(wù)還是在正常推進(jìn)的。...

      2025-07-08 標(biāo)簽：SiCWolfspeed 2069 0

      芯干線科技上半年銷售額同比增長265%

      2025年上半年，芯干線科技交出一份卓越的成績單：銷售額同比增長265%，多行業(yè)、全產(chǎn)品線強(qiáng)勢(shì)爆發(fā)！

      2025-07-07 標(biāo)簽：IGBTSiC移動(dòng)電源 544 0

      安森美亮相2025美國國際半導(dǎo)體電力峰會(huì)

      安森美亮相2025美國國際半導(dǎo)體電力峰會(huì)

      隨著全球能源轉(zhuǎn)型與電氣化進(jìn)程加速，從電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)，到支撐可再生能源并網(wǎng)的電力系統(tǒng)，再到驅(qū)動(dòng)人工智能算力的數(shù)據(jù)中心等，這些決定未來的高增長領(lǐng)域，其能效...

      2025-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美SiC 458 0

      SiC龍頭Wolfspeed重組落地，瑞薩或成最大股東?

      SiC龍頭Wolfspeed重組落地，瑞薩或成最大股東?

      6月23日，Wolfspeed向SEC提交8-K文件，宣布正式啟動(dòng)預(yù)打包重組。這家曾經(jīng)全球領(lǐng)先的SiC IDM企業(yè)，將通過債務(wù)轉(zhuǎn)股權(quán)、董事會(huì)改組等方式完...

      2025-07-02 標(biāo)簽：SiCWolfspeed 239 0

      安森美SiC Combo JFET UG4SC075005L8S的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

      安森美（onsemi）的UG4SC075005L8S在AI PSU設(shè)計(jì)中非常受歡迎，有助于實(shí)現(xiàn)下一代20 kW系統(tǒng)，以創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可...

      2025-07-02 標(biāo)簽：安森美JFETSiC 337 0

      查看更多>>

      sic數(shù)據(jù)手冊(cè)

      相關(guān)標(biāo)簽

      相關(guān)話題

      換一批
      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
        +關(guān)注
      • 尼吉康
        尼吉康
        +關(guān)注
      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
      • 閾值電壓
        閾值電壓
        +關(guān)注
        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
      • 無線供電
        無線供電
        +關(guān)注
        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
      • 寧德時(shí)代
        寧德時(shí)代
        +關(guān)注
      • 艾德克斯
        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
      • 快充
        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
        Qi標(biāo)準(zhǔn)
        +關(guān)注
        國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
      • Pebble
        Pebble
        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
      • WPC
        WPC
        +關(guān)注
      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
        +關(guān)注
        手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • 電池系統(tǒng)
        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
      • A4WP
        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽能充電
        太陽能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
        +關(guān)注
      換一批

      關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(31人)

      efans_62931057 jf_65683686 jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫皮西瓜 角里先生同學(xué) jf_59050084

      編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題