SemiQ最新發(fā)布的QSiC 1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí)，芯片面積縮小20%，開(kāi)關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景打造，在熱管理性能和系統(tǒng)集成便利性方面均有顯著提升。

核心性能亮點(diǎn)：

? 總開(kāi)關(guān)損耗降低至1646微焦耳

? 爬電距離擴(kuò)展至9毫米

? 柵極驅(qū)動(dòng)電壓優(yōu)化至-4V至+18V

? 卓越的散熱表現(xiàn)(結(jié)殼熱阻0.26°C/W)

芯片微縮與能效革命

第三代產(chǎn)品在保持導(dǎo)通電阻不變的前提下，通過(guò)20%的芯片面積縮減顯著提升晶圓良品率。470納庫(kù)侖的反向恢復(fù)電荷值有效降低電磁干擾，提升開(kāi)關(guān)速度。盡管柵極電荷量略有增加導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗微升，但整體能效增益完全抵消了這一影響。

多樣化封裝方案

QSiC 1200V提供16mΩ/20mΩ/40mΩ/80mΩ四種阻抗規(guī)格，支持裸片與TO-247 4L分立式封裝。3.5V-4V柵極閾值電壓設(shè)計(jì)有效規(guī)避電磁噪聲引發(fā)的誤觸發(fā)風(fēng)險(xiǎn)，其-4V至+18V的柵源電壓范圍完美兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)方案。

開(kāi)關(guān)性能參數(shù)：

? 開(kāi)通延遲21ns/關(guān)斷延遲65ns

? 上升時(shí)間25ns/下降時(shí)間20ns

? 額定功耗484W

軍工級(jí)可靠性驗(yàn)證

通過(guò)三大嚴(yán)苛測(cè)試保障產(chǎn)品壽命：

1400V以上晶圓良品測(cè)試

800mJ雪崩能量測(cè)試

100%晶圓級(jí)柵極氧化層老化篩選

9mm加強(qiáng)型爬電距離設(shè)計(jì)，為高壓環(huán)境提供更優(yōu)電氣絕緣保障。

場(chǎng)景化應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

? 電動(dòng)汽車充電：降低40%開(kāi)關(guān)損耗，減少散熱系統(tǒng)體積

? 光伏逆變器：快速開(kāi)關(guān)+低EMI特性提升轉(zhuǎn)換效率

? 工業(yè)電源/電機(jī)驅(qū)動(dòng)：高熱穩(wěn)定性保障重載工況穩(wěn)定運(yùn)行

第三代QSiC 1200V碳化硅MOSFET通過(guò)芯片微縮、柵極優(yōu)化和損耗控制三大技術(shù)突破，在新能源、工業(yè)電力等高壓場(chǎng)景中展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。其革新性設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)了效率與可靠性的雙重提升，更通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化封裝方案大幅降低工程師的改造成本，為下一代電力電子系統(tǒng)提供效率、耐用性、易用性的黃金平衡解決方案。

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