動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-16 10:16
集成電路產(chǎn)業(yè)迎利好!兩部門聯(lián)合發(fā)布計量支撐行動方案
近日,市場監(jiān)管總局與工業(yè)和信息化部聯(lián)合發(fā)布《計量支撐產(chǎn)業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展行動方案》(以下簡稱《方案》),明確提出將重點支持集成電路等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),通過突破核心計量技術(shù)瓶頸,助力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。這一舉措被視為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的又一重要政策利好?!斗桨浮分赋?,要針對集成電路產(chǎn)業(yè)的實際需求,集中力量解決核心計量技術(shù)問題。其中,重點突破扁平化量值傳遞技術(shù),攻克晶 -
發(fā)布了文章 2025-07-16 10:15
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發(fā)布了文章 2025-07-15 09:58
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發(fā)布了文章 2025-07-15 09:57
浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機制與防護
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其長期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運行安全。在諸多應(yīng)力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協(xié)同作用,往往成為加速器件內(nèi)部劣化、引發(fā)早期失效的關(guān)鍵誘因。本文深入探討該耦合效應(yīng)背后的物理機制,并基于實驗數(shù)據(jù)提出緩解策略。柵極電壓與IGBT可靠性基礎(chǔ)IGBT的柵極結(jié)構(gòu)類似于MOSFET,其166瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-14 10:17
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發(fā)布了文章 2025-07-14 10:16
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發(fā)布了文章 2025-07-11 10:07
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發(fā)布了文章 2025-07-11 10:06
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發(fā)布了文章 2025-07-10 10:05
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發(fā)布了文章 2025-07-10 10:03
浮思特 | (ABOV)現(xiàn)代單片機在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用與技術(shù)趨勢
當(dāng)今,微控制器(MCU)已成為最核心的計算技術(shù)之一,其存在是所有嵌入式應(yīng)用的基礎(chǔ)。微控制器提供了無數(shù)計算解決方案,有些甚至專為特定應(yīng)用場景設(shè)計,例如電機控制。電機控制應(yīng)用通常通過組合專用電機控制單元和系統(tǒng)控制單元來實現(xiàn),兩者均采用微控制器及相關(guān)軟件。部分微控制器專為同時控制多臺永磁電機而設(shè)計,可應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機、洗碗機等設(shè)備。此外,工業(yè)領(lǐng)域的通用變頻器、不506瀏覽量