3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片，具備業(yè)界較低的損耗水平，且驅(qū)動(dòng)電壓為15V~18V，兼容性更好。

這3款產(chǎn)品導(dǎo)通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時(shí)因TO247-4封裝具有開(kāi)爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅(qū)動(dòng)電壓尖峰。這3款產(chǎn)品的型號(hào)及主要參數(shù)如下表：

瞻芯電子第二代SiC MOSFET

瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺(tái)是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開(kāi)發(fā)的， 自2023年9月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來(lái)，至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，對(duì)比上一代產(chǎn)品，通過(guò)優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，讓器件的比導(dǎo)通電阻降低約25%，能進(jìn)一步降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率。

產(chǎn)品應(yīng)用

瞻芯電子采用TO247-4封裝的車(chē)規(guī)級(jí)第二代650V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，因其具備高速開(kāi)關(guān)，且低損耗，以及良好的驅(qū)動(dòng)兼容性等優(yōu)秀特性，而能為功率變換系統(tǒng)提供高頻、高效率的解決方案，主要適用于下列場(chǎng)景：

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

光伏逆變器

車(chē)載直流變換器（DC/DC）

車(chē)載充電機(jī)(OBC)

開(kāi)關(guān)電源

審核編輯：劉清