隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能（AI）計(jì)算的龐大處理需求而變得越來(lái)越耗電，提高能效變得至關(guān)重要。與一般的搜索引擎請(qǐng)求相比，搭載AI的引擎需要消耗超過(guò)10倍的電力。加快功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新以改善能效是實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)大趨勢(shì)的關(guān)鍵。安森美（onsemi）的PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V MOSFET的強(qiáng)大組合可以顯著降低能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損耗，將對(duì)下一代數(shù)據(jù)中心的需求產(chǎn)生積極的影響。

該方案在更小的封裝尺寸下提供了無(wú)與倫比的能效和卓越的熱性能。通過(guò)使用PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V解決方案，數(shù)據(jù)中心能夠減少約1%的電力損耗。如果在全球的數(shù)據(jù)中心實(shí)施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時(shí)的能源消耗，相當(dāng)于每年為近百萬(wàn)戶家庭提供全年的用電量 。

EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的開(kāi)關(guān)性能和更低的器件電容，可在數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率。與上一代產(chǎn)品相比，新一代SiC MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲(chǔ)存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 相比，它們?cè)陉P(guān)斷時(shí)沒(méi)有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時(shí)減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。

PowerTrench T10 系列專為處理對(duì)DC-DC功率轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要的大電流而設(shè)計(jì)，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過(guò)屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的，該設(shè)計(jì)具有超低柵極電荷和小于 1 毫歐的導(dǎo)通電阻RDS(on)。此外，軟恢復(fù)體二極管和較低的 Qrr 有效地減少了振鈴、過(guò)沖和電氣噪聲，從而確保了在應(yīng)力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。該組合解決方案還符合超大規(guī)模運(yùn)營(yíng)商所需的嚴(yán)格的開(kāi)放式機(jī)架 V3 (ORV3) 基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。

安森美憑借其PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V MOSFET的出色表現(xiàn)，成功入圍了由elexcon 2024深圳國(guó)際電子展和電子發(fā)燒友網(wǎng)聯(lián)合發(fā)起的AI年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。這表明了安森美的這些產(chǎn)品在技術(shù)創(chuàng)新和行業(yè)影響方面得到了認(rèn)可。

安森美加速SiC創(chuàng)新

安森美提供智能電源和智能感知技術(shù)，加速推動(dòng)汽車功能電子化和汽車安全、可持續(xù)電網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等細(xì)分領(lǐng)域的變革創(chuàng)新。安森美位列《財(cái)富》美國(guó)500強(qiáng)，也被納入納斯達(dá)克100指數(shù)和標(biāo)普500指數(shù)。

SiC是電動(dòng)汽車和光伏逆變器等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。安森美是業(yè)內(nèi)少有的端到端SiC制造商，包括 SiC 晶錠批量生長(zhǎng)、晶圓制造、外延、器件制造、出色的集成模塊和分立封裝方案，掌控著從襯底到最終模塊的每一個(gè)生產(chǎn)步驟，在保持產(chǎn)品質(zhì)量和性能的同時(shí)還能優(yōu)化成本、簡(jiǎn)化運(yùn)營(yíng)、優(yōu)化效率并保證供應(yīng)。

為推進(jìn)全球電氣化轉(zhuǎn)型，安森美加速SiC創(chuàng)新，宣布計(jì)劃在 2030 年前加速推出多款新一代SiC產(chǎn)品。最新推出的EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達(dá) 50%，該平臺(tái)采用經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)，以獨(dú)特方式降低了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。由于能夠在更高的開(kāi)關(guān)頻率和電壓下運(yùn)行，EliteSiC M3e MOSFET可有效降低電源轉(zhuǎn)換損耗，這對(duì)于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)、直流快速充電樁、太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能方案等廣泛的汽車和工業(yè)應(yīng)用至關(guān)重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 將促進(jìn)數(shù)據(jù)中心向更高效、更高功率轉(zhuǎn)變，以滿足可持續(xù)人工智能引擎指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的能源需求。

此外，安森美還提供更廣泛的智能電源技術(shù)，包括柵極驅(qū)動(dòng)器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電子保險(xiǎn)絲等，并均可與 EliteSiC M3e 平臺(tái)配合使用。通過(guò)這些安森美優(yōu)化和協(xié)同設(shè)計(jì)的功率開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)器和控制器的端到端一體化技術(shù)組合，可實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)先進(jìn)特性集成，并降低整體系統(tǒng)成本。

安森美因其在智能電源和智能感知技術(shù)領(lǐng)域的卓越貢獻(xiàn)，已成功入圍由elexcon 2024深圳國(guó)際電子展和電子發(fā)燒友網(wǎng)聯(lián)合發(fā)起的年度領(lǐng)軍企業(yè)獎(jiǎng)。