可控硅與場效應(yīng)管區(qū)別工作原理

可控硅（SCR）和場效應(yīng)管（FET）是電子領(lǐng)域中兩個(gè)常見的器件，它們在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點(diǎn)介紹SCR和FET的工作原理及它們之間的區(qū)別。

一、可控硅（SCR）

1. 基本結(jié)構(gòu)

可控硅是一種雙極晶體管，由四個(gè)PN結(jié)構(gòu)組成，它的基本結(jié)構(gòu)包括一個(gè)P型基底、一個(gè)N型外圍區(qū)域、一個(gè)P型控制極和一個(gè)N型結(jié)構(gòu)區(qū)。通常，可控硅用三個(gè)字母來描述它的結(jié)構(gòu)，分別是A（陽極）、K（陰極）和G（控制極）。

2. 工作原理

可控硅的工作原理是通過控制控制極的電流，使其啟動(dòng)和維持結(jié)構(gòu)區(qū)發(fā)生導(dǎo)通，從而使器件能夠傳導(dǎo)電流。當(dāng)控制極的電流高于一定的閾值（通常為1mA左右）時(shí)，器件的結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)開始導(dǎo)電，此時(shí)在陽極和陰極之間就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)低阻抗的通路，這種現(xiàn)象稱為硅控整流。一旦硅控整流啟動(dòng)，可控硅就會(huì)一直保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到陽極和陰極之間的電流降為零或降到很低的水平（通常為幾十毫安）。此時(shí)，可控硅又會(huì)恢復(fù)到封鎖狀態(tài)。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)是具有高電壓和高電流的承載能力，尤其在直流電路和電源控制電路中表現(xiàn)突出。由于可控硅在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的電壓降低，所以被廣泛應(yīng)用于電源和逆變器中，以改善電源的效率和功率因數(shù)。

二、場效應(yīng)管（FET）

1. 基本結(jié)構(gòu)

場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，它主要由源極、漏極和柵極組成。其中，源極和漏極通過一個(gè)n型或p型半導(dǎo)體形成的溝道相連接，而溝道則由柵極控制其電阻。

2. 工作原理

場效應(yīng)管的工作原理是依靠柵極施加的電場來控制溝道的電阻，從而控制流經(jīng)源極和漏極之間電流的大小。當(dāng)柵極上的電荷變化時(shí)，電場也會(huì)隨之改變，這一變化引起溝道內(nèi)激活的載流子數(shù)目的變化，從而控制了電流的流動(dòng)。當(dāng)柵極施加一個(gè)負(fù)電壓時(shí)，溝道的電阻會(huì)變大，電流減??；當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，溝道的電阻會(huì)減小，電流增大。

場效應(yīng)管的特點(diǎn)是在控制電路中無需特殊的電源來控制電流，具有高的輸入阻抗、低的噪聲、快速開關(guān)速度和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)管通常用于放大和開關(guān)電路以及一些低功耗、高性能的電子應(yīng)用中。

三、可控硅和場效應(yīng)管的區(qū)別

1. 工作原理不同：可控硅主要是通過控制控制極的電流來啟動(dòng)和維持結(jié)構(gòu)區(qū)發(fā)生導(dǎo)通，而場效應(yīng)管則主要是通過柵極所施加的電場來控制溝道的電阻。

2. 承受電壓不同：可控硅的電壓承受能力遠(yuǎn)高于場效應(yīng)管。可控硅主要用于直流電路和電源控制電路中，而場效應(yīng)管則主要用于低功耗、高性能的電子應(yīng)用中。

3. 結(jié)構(gòu)不同：可控硅由四個(gè)PN結(jié)構(gòu)組成，而場效應(yīng)管則由源極、漏極和柵極組成。可控硅的結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，且體積較大，成本也較高；而場效應(yīng)管則體積小，成本低，易于集成。

4. 輸出特性不同：可控硅的輸出特性為電流隨控制極電壓之間的關(guān)系，輸出為直流信號(hào)；而場效應(yīng)管的輸出特性為漏極電流隨柵極電壓之間的關(guān)系，輸出為交流信號(hào)。

總之，可控硅和場效應(yīng)管作為兩種不同的半導(dǎo)體器件，在不同的應(yīng)用場合中各具優(yōu)缺點(diǎn)。理解它們的工作原理以及它們的區(qū)別有助于更好地理解電子電路及其應(yīng)用。