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      標(biāo)簽　>　FET

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      FET簡(jiǎn)介

      　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件

      FET百科

      　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

      　　FET電路工作原理

      　　一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理，而FET的工作原理很少提及，現(xiàn)在我簡(jiǎn)單地分析一下它的放大原理：電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動(dòng)，所以實(shí)際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些（晶體管是電流控制電流，F(xiàn)ET是電壓控制電流）。但對(duì)于FET，由于柵極沒(méi)有電流流過(guò)，所以實(shí)際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值，即： VS=VG+VGS 實(shí)際上，VGS是以源極為基準(zhǔn)的，像N溝JFET那樣，當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號(hào)。因此，VS等于將VGS加到VG上時(shí)，就成為： VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V，是能夠相互置換的。但是對(duì)于FET來(lái)說(shuō)，當(dāng)器件型號(hào)和工作點(diǎn)（ID）不同時(shí)，VGS的值是不同的。流過(guò)源極的直流電流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID，則有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒(méi)有電流流過(guò)，ID=IS，所以上式也可以寫成： VD=VDD-Is*RD 下面來(lái)求它的交流放大倍數(shù)。

      FET電路

      　　由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為： #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id，那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降，即： #vd=#id*RD 又因?yàn)槁O電流和源極電流相等，所以#vd為： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得：交流放大倍數(shù)Av為： Av=vo/vi=RD/RS

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      fet知識(shí)

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      fet技術(shù)

      Texas Instruments TPS92401 LED點(diǎn)陣控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments TPS92401 LED點(diǎn)陣控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments TPS92401 LED點(diǎn)控制器是一系列4通道5A LED器件，集成了PWM分流FET、SPI接口和自適應(yīng)配置。這些...

      2025-07-14 標(biāo)簽：led驅(qū)動(dòng)器FETSPI接口 55 0

      TPS54262-Q1 具有低 Iq 和電壓監(jiān)控功能的汽車級(jí) 3.6V 至 60V、2A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS54262-Q1 具有低 Iq 和電壓監(jiān)控功能的汽車級(jí) 3.6V 至 60V、2A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS54262-Q1 器件是一款具有低功耗的 60V、2A 降壓開(kāi)關(guān)模式電源 模式和帶有集成 NMOS 開(kāi)關(guān) FET 的可編程電壓監(jiān)控器。集成輸入 電...

      2025-07-13 標(biāo)簽：FET降壓轉(zhuǎn)換器引腳 263 0

      TPS54162-Q1 汽車級(jí) 3.6V 至 48V、1A 降壓轉(zhuǎn)換器，具有低 Iq 和電壓監(jiān)控功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS54162-Q1 汽車級(jí) 3.6V 至 48V、1A 降壓轉(zhuǎn)換器，具有低 Iq 和電壓監(jiān)控功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS54162 是一款降壓開(kāi)關(guān)模式電源，帶有一個(gè)電壓監(jiān)控器和一個(gè)集成的 NMOS 開(kāi)關(guān) FET。集成輸入電壓線路前饋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)改善了電壓模式降壓穩(wěn)壓器的...

      2025-07-13 標(biāo)簽：NMOSFET降壓轉(zhuǎn)換器 285 0

      TPS53311 具有 Eco 模式和平滑 PWM 的 2.9V 至 6V 輸入、3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS53311 具有 Eco 模式和平滑 PWM 的 2.9V 至 6V 輸入、3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      The TPS53311 提供完全集成的 3V 至 5V V~在~集成同步 FET 轉(zhuǎn)換器解決方案，總共 16 個(gè)組件，尺寸 200 mm^2^的 PC...

      2025-07-11 標(biāo)簽：電容器轉(zhuǎn)換器軟啟動(dòng) 238 0

      TPS53310 具有集成 MOSFET 的 2.9V 至 6V、3A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS53310 具有集成 MOSFET 的 2.9V 至 6V、3A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      該TPS53310提供完全集成的 3V 至 5V VIN 集成同步 FET 轉(zhuǎn)換器解決方案，共有 16 個(gè)元件，封裝尺寸為 200mm^2^的 PCB ...

      2025-07-10 標(biāo)簽：電容器轉(zhuǎn)換器軟啟動(dòng) 296 0

      TPS53321 具有集成 MOSFET 的 2.9V 至 6V、5A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS53321 具有集成 MOSFET 的 2.9V 至 6V、5A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS53321 器件提供完全集成的 3V 至 5V V 電壓~在~集成同步 FET 轉(zhuǎn)換器解決方案，200 個(gè)組件中共有 16 個(gè)組件 毫米^2^的 ...

      2025-07-10 標(biāo)簽：電容器轉(zhuǎn)換器輸出電壓 198 0

      晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

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      芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對(duì)物理極限的挑...

      2025-07-08 標(biāo)簽：晶體管FET芯片制程 785 0

      Texas Instruments LMG3650EVM子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      Texas Instruments LMG3650EVM子卡評(píng)估模塊支持兩個(gè)LMG3650R025 650V GaN FET，具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，...

      2025-07-08 標(biāo)簽：FETGaN評(píng)估模塊 146 0

      Texas Instruments TPS4HC120-Q1汽車智能高側(cè)開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments TPS4HC120-Q1汽車智能高側(cè)開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments TPS4HC120-Q1汽車智能高側(cè)開(kāi)關(guān)是一個(gè)集成NMOS功率FET和電荷泵120mΩ~RON~ 的四通道器件。該高...

      2025-07-07 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)NMOS四通道 158 0

      PD快充IC U8726AHE的工作原理

      PD快充IC U8726AHE的工作原理

      準(zhǔn)諧振芯片廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、快充產(chǎn)品、USB-PD充電器等領(lǐng)域，特別是在高功率密度、低功耗的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色?。許多準(zhǔn)諧振芯片集成了驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路...

      2025-07-04 標(biāo)簽：充電器FETGaN 1012 0

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      fet資訊

      單節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC “NB7123 系列”（高邊FET驅(qū)動(dòng)類型）和 “NB7130 系列”（低邊FET驅(qū)動(dòng)類型）開(kāi)始上市

      單節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC “NB7123 系列”（高邊FET驅(qū)動(dòng)類型）和 “NB7130 系列”（低邊FET驅(qū)動(dòng)類型）開(kāi)始上市

      ～行業(yè)領(lǐng)先水平的超高精度過(guò)充檢測(cè)功能有助于進(jìn)一步提高安全性～ 日清紡微電子推出的單節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC “高邊FET驅(qū)動(dòng)類型的NB7123系列”和“低邊...

      2025-07-11 標(biāo)簽：鋰電池FET保護(hù)IC 63 0

      銀聯(lián)寶20W快充電源方案介紹

      PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)...

      2025-07-07 標(biāo)簽：電源FETGaN 288 0

      Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合

      Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓...

      2025-03-19 標(biāo)簽：FETGaNNexperia 707 0

      一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

      一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

      朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）直到1945年才出現(xiàn)，但這個(gè)想...

      2025-01-23 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 726 0

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      在2024年底剛開(kāi)過(guò)IEDM的主題演講（keynote speech），二維場(chǎng)效電晶體（2D Field Effect Transistor；2D FE...

      2025-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體FET先進(jìn)制程 681 0

      安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

      在2024年12月12日落幕的行家說(shuō)三代半年會(huì)上，行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳，共同探討行業(yè)趨勢(shì)，深化交流合作。安世半導(dǎo)體作為其中的重要一員，...

      2024-12-17 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管FETGaN 861 0

      MS8258D——高增益帶寬積 FET 輸入放大器

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      MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運(yùn)算放大器，適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。提供方案和FAE支持，歡迎了解

      2024-11-28 標(biāo)簽：CMOSFET輸出放大器 997 0

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)

      膠體量子點(diǎn)（CQD）憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外（UV）到紅外（IR）波段的寬帶隙可調(diào)諧性，因而在光電子器件中備受關(guān)注。

      2024-04-23 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 2456 0

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器

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      碲化汞（HgTe）納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。

      2024-04-07 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 1210 0

      Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

      Nexperia（安世半導(dǎo)體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)...

      2024-02-29 標(biāo)簽：繼電器MOSFETFET 1011 0

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      fet數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
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      • 尼吉康
        尼吉康
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      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        閾值電壓
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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      • 智能變電站
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        +關(guān)注
      • 太陽(yáng)能充電
        太陽(yáng)能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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