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標(biāo)簽 > MOSFET
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現(xiàn)。
RDS(on)低至8.6mΩ,揚杰推出200V MOSFET Gen2.0系列
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機驅(qū)動、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,在低壓領(lǐng)域MOSFET,SGT MOSFET由于其性...
TPS54060 具有 Eco 模式的 3.5V 至 60V 輸入、0.5A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54060 器件是一款具有集成高側(cè)的 60V、0.5A 降壓穩(wěn)壓器 MOSFET 的電流模式控制提供簡單的外部補償和靈活的元件 選擇。低紋波脈沖跳...
2025-07-14 標(biāo)簽:MOSFET輸出電壓降壓穩(wěn)壓器 121 0
在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)如同一...
TPS5430-EP 增強型產(chǎn)品 5.5V 至 36V 輸入、3A、500kHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
作為 SWIFT? 系列 DC/DC 穩(wěn)壓器的一員,TPS5430 是一款高輸出電流脈寬調(diào)制 (PWM) 轉(zhuǎn)換器,集成了低電阻高壓側(cè) N 溝道 MOSF...
2025-07-14 標(biāo)簽:MOSFETPWM降壓轉(zhuǎn)換器 139 0
TPS62000-HT 高溫、高效率、降壓、低功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS62000 器件是一款低噪聲同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,非常適合由 1 節(jié)鋰離子電池或 2 至 3 節(jié) NiCd、NiMH 或堿性電池供電的系統(tǒng)...
Texas Instruments UCC27518低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments UCC27518低側(cè)柵極驅(qū)動器是一款單通道、高速器件,可驅(qū)動MOSFET和IGBT電源開關(guān)。該驅(qū)動器采用可最大限度地...
TPS54418 2.95V 至 6V 輸入、4A 同步降壓型 SWIFT? 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54418 器件是一款功能齊全的 6V、4A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器,具有兩個集成 MOSFET。 TPS54418 器件通過集成 MOSF...
2025-07-14 標(biāo)簽:MOSFET電感器開關(guān)頻率 131 0
TPS54620 4.5V 至 17V、6A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54620采用熱增強型 3.50 mm × 3.50 mm QFN 封裝,是一款功能齊全的 17V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,通過高效率并集成高側(cè)和低...
Texas Instruments LM74680理想二極管橋控制器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LM74680理想二極管橋控制器通過驅(qū)動呈全橋配置的四個N溝道MOSFET來整流電壓 。該控制器可實現(xiàn)更低的壓降和...
Texas Instruments LM74681 100V理想二極管橋控制器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LM74681 100V理想二極管橋控制器驅(qū)動MOSFET橋,可在以太網(wǎng)供電(POE)應(yīng)用中實現(xiàn)高效的低損耗橋式整...
CMT4080U 40V N溝道MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-07-12 標(biāo)簽:MOSFET 74 0
禾納AET3156AP P通道EpicMOST規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-06-19 標(biāo)簽:MOSFET 84 0
AET3152AP常用P溝道場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管p溝道 139 0
AET3152AP P溝道高級模式MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFETp溝道 74 0
ZSKY-ZS7N65A N溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 54 0
RDS(on)低至8.6mΩ,揚杰推出200V MOSFET Gen2.0系列
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芯導(dǎo)科技攜前沿功率半導(dǎo)體解決方案亮相AMTS 2025
近日,芯導(dǎo)科技(Prisemi)攜前沿功率半導(dǎo)體解決方案,重磅登陸上海AMTS國際汽車制造技術(shù)與裝備展覽會具身智能展區(qū)。AMTS緊跟新能源汽車的發(fā)展趨勢...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體芯導(dǎo)科技 391 0
MOSFET工藝參數(shù)揭秘:合科泰的技術(shù)突圍之道
?MOSFET的參數(shù)性能是選型的關(guān)鍵,而決定其性能的是關(guān)鍵工藝參數(shù)調(diào)控。作為國家級高新技術(shù)企業(yè),合科泰深入平面與溝槽等工藝的協(xié)同,致力于在氧化層厚度、溝...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET 162 0
圣邦微電子推出單N溝道功率MOSFET SGMNL12330
圣邦微電子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理...
2025-07-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 581 0
新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品
新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分...
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深,寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因...
如何選擇合適的MOSFET封裝:TO-252與TO-263全面對比
TO-252和TO-263封裝的選擇需平衡空間、性能和成本。TO-252在小型化、低功率場景中具有成本優(yōu)勢,TO-263則在中高功率和高可靠性需求下表現(xiàn)...
顛覆能效極限!BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng)
顛覆能效極限!基本股份BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng) 在光伏逆變器呼嘯而轉(zhuǎn)、超級充電樁極速賦能、工業(yè)焊機火花飛濺的...
2025-07-08 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng) 103 0
新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了...
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