什么叫米勒電容？對MOSFET有何作用

什么叫米勒電容？如何作用和影響于MOSFET？

2019-05-12 標簽：MOSFETMOS管米勒電容 2.4萬 0

全面認識MOS管，一篇文章就夠了

今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！

2023-06-13 標簽：場效應管MOS管FET 2.2萬 2

MOS管的米勒電容及CCS電流源模型

在器件的手冊中，會給出MOS管的寄生參數(shù)，其中輸入電容Ciss就是從輸入回路，即端口G和S看進去的電容，MOS管導通時的GS電容，是Cgd和Cds的并聯(lián)。

2023-01-19 標簽：MOS管晶體管CCS 1.7萬 1

如何使用負壓作為IGBT關(guān)斷

總結(jié)一下，對于米勒電流引起的寄生導通，在0V關(guān)斷的情況下，可以使用米勒鉗位來抑制。當出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導通時，如果不想減慢開關(guān)速度增加損耗的話，加...

2022-05-12 標簽：電阻IGBT米勒電容 1.1萬 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺的分析

米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標簽：MOS管IGBT驅(qū)動電流 1.0萬 0

IGBT中米勒效應的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺

2023-05-25 標簽：三極管MOSFETMOS管 1.0萬 0

介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)

柵極電荷是指為導通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時也稱為總柵極電荷?？倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...

2023-05-29 標簽：MOSFET示波器MOS管 9815 0

搞懂MOS管的米勒效應

通過了解MOS管的的開關(guān)過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進MOS管設計。

2023-07-21 標簽：MOS管MOS米勒電容 9143 0

如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應

當IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅(qū)動的應用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，...

2015-01-14 標簽：光耦門極驅(qū)動米勒電容 8878 0

改善射頻ACLR的幾種方法

射頻設計的同學可能都會接觸到一個很關(guān)鍵的詞，就是ACLR，什么是ACLR?

2023-10-10 標簽：濾波器SAW射頻設計 5697 0

詳解運放的頻率補償方法

使開環(huán)增益下降到0dB時所對應的總相移小于180度。（2）或總相移達到180度時所對應的開環(huán)增益小于0dB。

2023-09-25 標簽：運放頻率補償米勒電容 5196 0

如何使用米勒電容對運算放大器補償？

米勒電容（Miller capacitance）通常用于運算放大器頻率補償?shù)姆椒ㄖ小?/p>

2023-09-18 標簽：電容器電壓放大器運算放大器 4759 0

IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導通現(xiàn)象有哪些？

IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動電路及短路回路阻抗。

2023-08-04 標簽：分壓器IGBT短路 2756 0

MOSFET漏極導通特性與開關(guān)過程簡析

本文就MOSFET的開關(guān)過程進行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...

2023-12-04 標簽：三極管MOSFET可變電阻 2372 0

米勒電容如何限制高頻放大？

由于存在物理學定律，電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對此無能為力，所以自熱離子真空管問世以來，電子設計人員就學會了通過開發(fā)巧妙的電路拓撲來解決這些問題。

2023-05-22 標簽：MOSFET驅(qū)動器FET 1369 0