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標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆粒”是中國港臺(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對(duì)內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。
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其實(shí) ODT 技術(shù)的具體內(nèi)部構(gòu)造并不十分復(fù)雜。在內(nèi)存各種引腳與內(nèi)存模組的內(nèi)部緩沖器中間設(shè)有一個(gè) EMRS 擴(kuò)展模式寄存器,通過其內(nèi)部的一個(gè)控制引腳可以控...
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
8個(gè)接內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)線,一個(gè)芯片接一個(gè)數(shù)據(jù)組也就是8根線組成的一個(gè)數(shù)據(jù)組,依次為Data[0:7], Data[8:15], …, Data[56:63...
長(zhǎng)鑫原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案
一、前言:長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存,可能會(huì)覺得他們不是一線頂尖品牌,顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn),不過這一次...
2020-10-30 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存芯片合肥長(zhǎng)鑫 7532 0
DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程,包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。
處理器和顯卡對(duì)性能的影響是立竿見影,很容易通過跑分軟件量化對(duì)比。然而,在筆記本身上還有很多芯片在偷摸著影響性能,進(jìn)而有損實(shí)際體驗(yàn)。
存儲(chǔ)單元數(shù)量=行數(shù)*列數(shù)(得到一個(gè)L-Bank的存儲(chǔ)單元數(shù)量)*L-Bank的數(shù)量也可用M*W的方式表示芯片的容量,M是該芯片中存儲(chǔ)單元的總數(shù),單位是兆...
內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀
當(dāng)時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失,也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù),...
可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采...
2023-07-28 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存芯片PCB設(shè)計(jì) 4855 0
三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片
CFan曾在《芯希望來自新工藝!EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼?》一文中解讀過EUV(極紫外光刻),它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù),特...
學(xué)會(huì)這幾大接線口訣,你就不用擔(dān)心接觸器問題了!
在如此巨大的沖擊之下,對(duì)于高通而言,錯(cuò)過恩智浦這個(gè)近年來最為優(yōu)質(zhì)的一塊“標(biāo)的”將會(huì)十分遺憾。這在一定程度上將減慢高通未來的轉(zhuǎn)型進(jìn)程。但高通認(rèn)為,盡管沒能...
2018-07-31 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)接觸器內(nèi)存芯片 9.8萬 0
三星Galaxy A6s是一款專為中國消費(fèi)者定制打造的高顏值精工誠品,沿襲了三星經(jīng)典的外觀輪廓設(shè)計(jì)。在色彩工藝方面突破常規(guī)的采用了玻璃機(jī)身,活力的色彩在...
道內(nèi)存是高頻率快速的存儲(chǔ)器件,通電工作,斷電則所有數(shù)據(jù)清空。閃存內(nèi)類似于硬盤,屬于容數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊,不需加點(diǎn)也可以保存數(shù)據(jù)完整。
三星計(jì)劃在今年年底前完成5nm流片和4nm開發(fā)
7月31日,三星電子報(bào)告了2019年第二季度的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。 三星電子第二季度收入下降4%至56.13萬億韓元,營業(yè)利潤(rùn)下降55.6%至6.6萬億韓元。凈利...
77個(gè)受害者一起將華為告上了法庭,深圳市龍崗區(qū)法院宣判了
目前智能手機(jī)上主流的內(nèi)存芯片選擇上會(huì)集中在三種方案,一個(gè)是eMMC5.1,一個(gè)是UFS2.0,而另外一個(gè)是UFS2.1,三者最大的區(qū)別在速度反應(yīng)上,這個(gè)...
從韓國半導(dǎo)體發(fā)展史中看美國制裁中興事件:自主創(chuàng)新才不受制于人
“美國的禁令可能導(dǎo)致中興通訊進(jìn)入休克狀態(tài)”。 在4月20日一場(chǎng)發(fā)布會(huì)上,中興通訊董事長(zhǎng)殷一民坦率地承認(rèn)了美方出臺(tái)的禁令對(duì)公司造成的影響。此前,美國商務(wù)部...
威剛導(dǎo)入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR4顆粒,國產(chǎn)內(nèi)存開始發(fā)力
今年2月底,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布,符合國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨,這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正...
2020-05-22 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 9213 0
SK海力士宣布江蘇無錫第二工廠已經(jīng)竣工 計(jì)劃今年5月正式投入量產(chǎn)
近日,韓國DRAM內(nèi)存芯片巨頭SK海力士宣布,位于江蘇無錫的第二工廠(C2F)已經(jīng)竣工,產(chǎn)出的第一批晶圓良品率也符合預(yù)期,計(jì)劃今年5月正式投入量產(chǎn)。
2021年全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品SSD價(jià)格出現(xiàn)急漲
2021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品確定要進(jìn)入牛市周期了,1月份的內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)全面開漲,漲幅在5%以上,現(xiàn)在也輪到閃存產(chǎn)品了,SSD價(jià)格也出現(xiàn)了急漲。
2018年全球DRAM內(nèi)存芯片總價(jià)值將首次突破1000億美元大關(guān)
對(duì)于三星電子DS部門而言,數(shù)據(jù)中心使用的DRAM芯片和大容量存儲(chǔ)的NAND閃存需求持續(xù)旺盛,推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)繼續(xù)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁盈利。除此之外,三星電子其他業(yè)務(wù)表...
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