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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>普賽斯儀表 | 半導(dǎo)體分立器件電性能測(cè)試解決方案

      普賽斯儀表 | 半導(dǎo)體分立器件電性能測(cè)試解決方案

      2024-06-06 | pdf | 1.71 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

              實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之—是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。解決了傳統(tǒng)多臺(tái)測(cè)試儀表之間編程、同步、接線繁雜及總線傳輸慢等問(wèn)題。

       

      常見(jiàn)測(cè)試

             半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等。直流I-V曲線是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。分立器件的種類(lèi)繁多，引腳數(shù)量及待測(cè)參數(shù)各不相同。除此以外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

      1、二極管特性的測(cè)量與分析

      2、雙極型晶體管BJT特性的測(cè)量與分析

      3、MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

      4、MOS器件的參數(shù)提取

       

            普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表(SMU)可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具。

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