功率半導(dǎo)體分立器件應(yīng)用說明

功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來，新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導(dǎo)體分立器件的新興應(yīng)用領(lǐng)域。

消費(fèi)電子：用于各種電子裝置的電源及充電系統(tǒng)、功率半導(dǎo)體照明電源、家用電器變頻器等。

工業(yè)電機(jī)：工業(yè)中需大量應(yīng)用交直流電機(jī)，為其供電的可控整流電源或直流斬波電源、電機(jī)的變頻驅(qū)動系統(tǒng)的核心器件。

汽車電子及充電系統(tǒng)：傳統(tǒng)汽車的電源、照明等系統(tǒng);新能源汽車的充電樁(器)、變流器、逆變器等應(yīng)用。

軌道交通：直流機(jī)車中的整流裝置，交流機(jī)車中的變頻裝置，高鐵、動車、磁懸浮列車等軌道交通的直流斬波器，新能源汽車的電力變換系統(tǒng)、驅(qū)動控制系統(tǒng)與電池充電系統(tǒng)，以及各種車輛、飛機(jī)、船舶中的電源系統(tǒng)。

新能源發(fā)電/智能電網(wǎng)：光伏逆變、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、地?zé)崮馨l(fā)電、生物能和燃料電池發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器、變流器等裝置中。智能電網(wǎng)電力傳輸中的直流輸電、柔性交流輸電、無功補(bǔ)償技術(shù)、諧波抑制技術(shù)以及防止電網(wǎng)瞬時停電、瞬時電壓跌落、閃變等提高供電質(zhì)量的技術(shù)。

航空航天：第三代半導(dǎo)體器件超強(qiáng)的抗輻照能力，在航空航天方面有著絕對的應(yīng)用優(yōu)勢。

武器裝備：電磁打火裝置，遠(yuǎn)程導(dǎo)彈、雷達(dá)、電磁彈射系統(tǒng)的電源系統(tǒng)中。

功率半導(dǎo)體分立器件工藝說明

功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片(主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕)，進(jìn)行芯片封裝，對加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴(kuò)散工藝等。

外延工藝技術(shù)

對于Si功率半導(dǎo)體器件，外延工藝是根據(jù)不同硅源(SiH2CL2、SiHCL3、SiCL4)，在1100-1180°C溫度下在硅片表面再長一層或多層本征(不摻雜)、N型(摻PH3)或P型(摻B2H6)的單晶硅，并且，要將硅層的厚度和電阻率、厚度和電阻率的均勻性、表面的缺陷控制在允許范圍內(nèi)。

對于SiC功率半導(dǎo)體器件，生長出低缺陷密度的單晶十分困難，因SiC襯底晶體生長需在2300°C的溫度下進(jìn)行，需在H2保護(hù)氣氛下，用SiH4和CH4或C3H8作為反應(yīng)氣體，其生長速率一般每小時只有幾微米，且仍存在SiC襯底中的晶體缺陷擴(kuò)展到外延層的問題，因而SiC晶片成本特別是高質(zhì)量大面積的SiC晶片成本遠(yuǎn)高于Si晶片。

光刻工藝技術(shù)

光刻工藝是將掩膜(光刻板)圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的光刻膠上形成產(chǎn)品所需要圖形的工藝技術(shù)，***的精度一般是指光刻時所得到的光刻圖形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越細(xì)的線條，集成度也越高。

刻蝕工藝技術(shù)

刻蝕是用物理或化學(xué)的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，刻蝕的基本作用是準(zhǔn)確地復(fù)制掩膜圖形，以保證生產(chǎn)線中各種工藝正常進(jìn)行。包括濕法刻蝕、干法刻蝕及等離子增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振刻蝕(ECR)、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP)等其他先進(jìn)蝕刻技術(shù)。

離子注入工藝技術(shù)

離子注入是通過高技術(shù)設(shè)備將器件需要的摻雜元素注入到硅片中。

擴(kuò)散工藝技術(shù)

半導(dǎo)體摻雜工藝的主要目的在于控制半導(dǎo)體中特定區(qū)域內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度、深度和PN結(jié)。擴(kuò)散技術(shù)是實(shí)現(xiàn)這一目的的簡單而方便的途徑。

公司簡介

深圳辰達(dá)行電子有限公司(簡稱MDD辰達(dá)半導(dǎo)體)是一家專注于半導(dǎo)體功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測試及銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。

公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域15載，始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動，以客戶需求為核心，打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領(lǐng)域，服務(wù)于全球40多個國家與地區(qū)。

公司秉持與時俱進(jìn)的發(fā)展理念，基于目前先進(jìn)的功率器件設(shè)計(jì)及封裝測試能力，持續(xù)關(guān)注前沿技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢，全面推動產(chǎn)品升級迭代，提高功率器件產(chǎn)業(yè)化及服務(wù)閉環(huán)的能力，為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。

展望未來，公司將依托行業(yè)洞察的能力，通過品牌與技術(shù)雙輪驅(qū)動，快速實(shí)現(xiàn)“成為國際半導(dǎo)體功率器件的一線品牌”的發(fā)展愿景，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級。

審核編輯：湯梓紅