提高激光強度(激光功率密度)可以有效提高微孔的加工速 率。然而，過高的激光強度在加工過程中也會造成過....

前面分享了先進封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進封裝，今天分享一下先進封裝中先進性最高的TSV。

半導體中電子和空穴運動方式有很多種，比如熱運動引起的布朗運動、電場作用下的漂移運動和由濃度梯度引起的....

銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過“大馬士革”（Dam....

面向高性能計算機、人工智能、無人系統(tǒng)對電子芯片高性能、高集成度的需求，以 2.5D、3D 集成技術(shù)為....

TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是兩種....

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的....

印刷電路板（PCB）在電子設備和其他相關應用中無處不在。一般來說，PCB是由多層層壓材料和多層樹脂粘....

aQFN作為一種新型封裝以其低成本、高密度I/O、優(yōu)良的電氣和散熱性能，開始被應用于電子產(chǎn)品中。本文....

芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學氣相沉積、電鍍、熱壓鍵合等技術(shù)來實現(xiàn)芯片導電互連。

玻璃基板是一種由高度純凈的玻璃材料制成的關鍵組件，常見的材料包括硅酸鹽玻璃、石英玻璃和硼硅酸鹽玻璃等....

所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連....

TGV技術(shù)是近年來在先進封裝(如2.5D/3D IC、射頻器件、MEMS、光電子集成等)領域備受關注....

隨著臺積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺 CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD....

隨著集成電路高集成度、高性能的發(fā)展，對半導體制造技術(shù)提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技....

通信、雷達和微波測量等領域電子信息裝備迅速發(fā)展, 對射頻系統(tǒng)提出了微型化、集成化和多樣化等迫切需求。....

對于傳統(tǒng)的MOSFET器件，雖然因為柵極絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流，但是硅溝道較低的電子遷移率也....

常規(guī)IC封裝需經(jīng)過將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復雜過程。與之不同，WLP....

翹曲（Warpage）是結(jié)構(gòu)固有的缺陷之一。晶圓級扇出封裝（FOWLP）工藝過程中，由于硅芯片需通過....

產(chǎn)品集成11顆芯片，58個無源元件，采用雙面陶瓷管殼作為載體，進行雙層芯片疊裝和組裝，實現(xiàn)高密度集成....

多芯片封裝在現(xiàn)代半導體領域至關重要，主要分為平面多芯片封裝和多芯片堆疊封裝。多芯片堆疊封裝又細分為多....

CSP的概念最早于1993年由Fuiitsu公司的Junichi Kasai和Hitachi Cab....

自集成電路誕生以來，摩爾定律一直是其發(fā)展的核心驅(qū)動力。根據(jù)摩爾定律，集成電路單位面積上的晶體管數(shù)量每....

電氣性能制約隨著片外數(shù)據(jù)傳輸速率持續(xù)提升及鍵合節(jié)距不斷縮小，引線鍵合技術(shù)暴露出電感與串擾兩大核心問題....

在芯片制造這一復雜且精妙的領域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開....

和傳統(tǒng)芯片不同，微流控芯片更像是一個微米尺度的“生化反應平臺”。詳細來說，微流控芯片是一種將生物、化....

為了提高高密度互連印制電路板的導電導熱性和可靠性，實現(xiàn)通孔與盲孔同時填孔電鍍的目的，以某公司已有的電....

多芯片堆疊技術(shù)的出現(xiàn)，順應了器件朝著小型化、集成化方向發(fā)展的趨勢。該技術(shù)與先進封裝領域中的系統(tǒng)級封裝....

芯片封裝是半導體制造的關鍵環(huán)節(jié)，承擔著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)（B....

前段工藝（Front-End）、中段工藝（Middle-End）和后段工藝（Back-End）是半導....