動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-03-08 10:53
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發(fā)布了文章 2025-03-07 11:43
我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破！
2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國(guó)際領(lǐng)先地位，也為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來(lái)了新的機(jī)遇和動(dòng)力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化鎵（Ga?O?）作為第四代半導(dǎo)體材料的代表，具有超寬的禁帶寬度（約4.8eV），遠(yuǎn) -
發(fā)布了文章 2025-03-06 11:11
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發(fā)布了文章 2025-03-05 10:53
碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘
隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢(shì)，封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。在SiC芯片封裝過(guò)程中，銀燒結(jié)和銅燒結(jié)技術(shù)因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討碳化硅SiC芯片封裝中的銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備技術(shù)，分析其技術(shù)原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)現(xiàn)狀以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。 -
發(fā)布了文章 2025-03-04 10:52
深入探索：晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝（WLP）作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分，正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢(shì)。在晶圓級(jí)封裝過(guò)程中，Bump工藝扮演著至關(guān)重要的角色。Bump，即凸塊，是晶圓級(jí)封裝中實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)，探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。 -
發(fā)布了文章 2025-03-03 11:34
50%新型HPC擁抱多芯片設(shè)計(jì)：性能飛躍的新篇章
在當(dāng)今這個(gè)數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代，高性能計(jì)算（HPC）已經(jīng)成為推動(dòng)科技進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)升級(jí)和經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的重要力量。從天氣預(yù)報(bào)、基因測(cè)序到新能源開(kāi)發(fā)、航空航天，HPC的應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，對(duì)計(jì)算性能的需求也日益增長(zhǎng)。為了滿足這種需求，HPC系統(tǒng)不斷在架構(gòu)、處理器、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)等方面進(jìn)行創(chuàng)新和優(yōu)化。其中，多芯片設(shè)計(jì)作為一種新興的技術(shù)趨勢(shì)，正在逐漸被越來(lái)越多的HPC系統(tǒng)所采用。近489瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-02-28 10:48
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發(fā)布了文章 2025-02-27 11:05
新型功率器件真空回流焊焊接空洞的探析及解決方案
隨著5G時(shí)代的到來(lái)，電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展，對(duì)于大功率器件的封裝，如IGBT、MOS、大功率LED等，也相應(yīng)地對(duì)焊接材料提出了更高的、更全面的可靠性需求。其中，焊接空洞問(wèn)題成為影響功率器件性能和可靠性的關(guān)鍵因素之一。真空回流焊技術(shù)作為一種先進(jìn)的焊接方法，在解決新型功率器件焊接空洞問(wèn)題上展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討新型功率器件真空回流焊998瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-02-25 11:26
真空共晶爐加熱板熱膨脹系數(shù)探究
在微電子封裝、半導(dǎo)體制造以及精密儀器制造等領(lǐng)域，真空共晶爐作為一種關(guān)鍵設(shè)備，扮演著至關(guān)重要的角色。真空共晶爐加熱板作為其核心部件之一，其性能直接影響到共晶焊接的質(zhì)量與效率。而加熱板的熱膨脹系數(shù)，作為評(píng)估其性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一，對(duì)于確保焊接過(guò)程中的尺寸穩(wěn)定性和可靠性具有重要意義。本文將深入探討真空共晶爐加熱板的熱膨脹系數(shù)，包括其定義、影響因素、對(duì)焊接質(zhì)量的影響以610瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-02-24 11:17
納米銅燒結(jié)為何完勝納米銀燒結(jié)？
在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來(lái)，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。然而，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中，納米銅燒結(jié)技術(shù)逐漸展現(xiàn)出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，甚至在某些方面被認(rèn)為完勝納米銀燒結(jié)。本文將深入探討納米銅燒結(jié)技術(shù)為何能夠在這一領(lǐng)域脫穎而出。
