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單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

姚小熊27 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2018-04-26 14:06 ? 次閱讀
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1、單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖

復(fù)位電路原理是在單片機的復(fù)位引腳RST上外接電阻和電容,實現(xiàn)上電復(fù)位。當復(fù)位電平持續(xù)兩個機器周期以上時復(fù)位有效。復(fù)位電平的持續(xù)時間必須大于單片機的兩個機器周期,具體數(shù)值可以由RC電路計算出時間常數(shù)。

如下圖所示,單片機復(fù)位電路是由按鍵復(fù)位和上電復(fù)位兩部分組成。其中,STC89系列單片及為高電平復(fù)位,通常在復(fù)位引腳RST上連接一個電容到VCC,再連接一個電阻到GND,由此形成一個RC充放電回路保證單片機在上電時RST腳上有足夠時間的高電平進行復(fù)位,隨后回歸到低電平進入正常工作狀態(tài),這個電阻和電容的典型值為10K和10uF.而按鍵復(fù)位就是在復(fù)位電容上并聯(lián)一個開關(guān),當開關(guān)按下時電容被放電、RST也被拉到高電平,而且由于電容的充電,會保持一段時間的高電平來使單片機復(fù)位。

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

2、單片機上電復(fù)位電路圖

AT89C51的上電復(fù)位電路如圖2所示,只要在RST復(fù)位輸入引腳上接一電容至Vcc端,下接一個電阻到地即可。對于CMOS型單片機,由于在RST端內(nèi)部有一個下拉電阻,故可將外部電阻去掉,而將外接電容減至1μF。上電復(fù)位的工作過程是在加電時,復(fù)位電路通過電 容加給RST端一個短暫的高電平信號,此高電平信號隨著Vcc對電容的充電過程而逐漸回落,即RST端的高電平持續(xù)時間取決于電容的充電時間。為了保證系統(tǒng)能夠可靠地復(fù)位,RST端的高電平信號必須維持足夠長的時間。上電時,Vcc的上升時間約為10ms,而振蕩器的起振時間取決于振蕩頻率,如晶振頻率為10MHz,起振時間為1ms;晶振頻率為1MHz,起振時間則為10ms。在圖2的復(fù)位電路中,當Vcc掉電時,必然會使RST端電壓迅速下降到0V以下,但是,由于內(nèi)部電路的限制作用,這個負電壓將不會對器件產(chǎn)生損害。另外,在復(fù)位期間,端口引腳處于隨機狀態(tài),復(fù)位后,系統(tǒng)將端口置為全“l(fā)”態(tài)。如果系統(tǒng)在上電時得不到有效的復(fù)位,則程序計數(shù)器PC將得不到一個合適的初值,因此,CPU可能會從一個未被定義的位置開始執(zhí)行程序。

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

積分型上電復(fù)位:

常用的上電或開關(guān)復(fù)位電路如圖3所示。上電后,由于電容C3的充電和反相門的作用,使RST持續(xù)一段時間的高電平。當單片機已在運行當中時,按下復(fù)位鍵K后松開,也能使RST為一段時間的高電平,從而實現(xiàn)上電或開關(guān)復(fù)位的操作。

根據(jù)實際操作的經(jīng)驗,下面給出這種復(fù)位電路的電容、電阻參考值。

圖3中:C:=1uF,Rl=lk,R2=10k

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

圖3 積分型上電復(fù)位電路

專用芯片復(fù)位電路:

上電復(fù)位電路 在控制系統(tǒng)中的作用是啟動單片機開始工作。但在電源上電以及在正常工作時電壓異?;蚋蓴_時,電源會有一些不穩(wěn)定的因素,為單片機工作的穩(wěn)定性可能帶來嚴重的影響。因此,在電源上電時延時輸出給芯片輸出一復(fù)位信號。上復(fù)位電路另一個作用是,監(jiān)視正常工作時電源電壓。若電源有異常則會進行強制復(fù)位。復(fù)位輸出腳輸出低電平需要持續(xù)三個(12/fc s)或者更多的指令周期,復(fù)位程序開始初始化芯片內(nèi)部的初始狀態(tài)。等待接受輸入信號(若如遙控器的信號等)。

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

3、80C51單片機復(fù)位電路

單片機的復(fù)位有上電復(fù)位和按鈕手動復(fù)位兩種。如圖2(a)所示為上電復(fù)位電路,圖(b)所示為上電按鍵復(fù)位電路。

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

上電復(fù)位是利用電容充電來實現(xiàn)的,即上電瞬間RST端的電位與VCC相同,隨著充電電流的減少,RST的電位逐漸下降。圖2(a)中的R是施密特觸發(fā)器輸入端的一個10K?下拉電阻,時間常數(shù)為10×10-6×10×103=100ms。只要VCC的上升時間不超過1ms,振蕩器建立時間不超過10ms,這個時間常數(shù)足以保證完成復(fù)位操作。上電復(fù)位所需的最短時間是振蕩周期建立時間加上2個機器周期時間,在這個時間內(nèi)RST的電平應(yīng)維持高于施密特觸發(fā)器的下閾值。

上電按鍵復(fù)位2(b)所示。當按下復(fù)位按鍵時,RST端產(chǎn)生高電平,使單片機復(fù)位。復(fù)位后,其片內(nèi)各寄存器狀態(tài)見表,片內(nèi)RAM內(nèi)容不變。

4、單片機常見復(fù)位電路

復(fù)位電路的基本功能是:系統(tǒng)上電時提供復(fù)位信號,直至系統(tǒng)電源穩(wěn)定后,撤銷復(fù)位信號。為可靠起見,電源穩(wěn)定后還要經(jīng)一定的延時才撤銷復(fù)位信號,以防電源開關(guān)或電源插頭分一合過程中引起的抖動而影響復(fù)位。圖1所示的RC復(fù)位電路可以實現(xiàn)上述基本功能,圖3為其輸入一輸出特性。但解決不了電源毛刺(A點)和電源緩慢下降(電池電壓不足)等問題而且調(diào)整RC常數(shù)改變延時會令驅(qū)動能力變差。左邊的電路為高電平復(fù)位有效右邊為低電平Sm為手動復(fù)位開關(guān)Ch可避免高頻諧波對電路的干擾。

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

圖1 RC復(fù)位電路

圖2所示的復(fù)位電路增加了二極管,在電源電壓瞬間下降時使電容迅速放電,一定寬度的電源毛刺也可令系統(tǒng)可靠復(fù)位。圖3所示復(fù)位電路輸入輸出特性圖的下半部分是其特性,可與上半部比較增加放電回路的效果。

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

圖2 增加放電回路的RC復(fù)位電路

5、c51單片機復(fù)位電路

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

如S22復(fù)位鍵按下時:RST經(jīng)1k電阻接VCC,獲得10k電阻上所分得電壓,形成高電平,進入“復(fù)位狀態(tài)”

當S22復(fù)位鍵斷開時:RST經(jīng)10k電阻接地,電流降為0,電阻上的電壓也將為0,RST降為低電平,開始正常工作

6、高低電平復(fù)位電路

單片機內(nèi)部復(fù)位電路圖和上電復(fù)位電路圖解析(六款單片機復(fù)位電路)

51單片機要求的是:高電平復(fù)位。圖2是51單片機的復(fù)位電路。圖2電路,在上電的瞬間,電容器充電,充電電流在電阻上形成的電壓為高電平(可按照歐姆定律來分析);幾個毫秒之后,電容器充滿,電流為0,電阻上的電壓也就為低電平了,這時,51單片機將進入正常工作狀態(tài)。圖1是用來產(chǎn)生低電平復(fù)位信號的。

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