PW方塊電阻的測(cè)試條件
圖5-34所示為PW方塊電阻的版圖，圖5-35所示為它的剖面圖。PW方塊電阻是通過(guò)DNW 隔離襯底（P-sub），如果沒(méi)有DNW的隔離，這個(gè)PW 方塊電阻會(huì)與 P-sub短路。
圖5-36所示為PW方塊電阻的電路連接圖。PW方塊電阻是三端器件，它的三個(gè)端口分別是電阻的兩端和襯底（DNW），它們分別連到 PAD_P1、PAD_P2 和 PAD_B,WAT測(cè)試機(jī)器通過(guò)這三個(gè)端口把電壓激勵(lì)信號(hào)加載在電阻的兩端和襯底，從而測(cè)得所需的電性特性參數(shù)數(shù)據(jù)。
PW方塊電阻的 WAT參數(shù)是Rs_PW。
圖5-37所示為測(cè)量Rs_PW 的示意圖。測(cè)量PW 方塊電阻 Rs_PW 的基本原理是在電阻的一端和襯底加載電壓 DC電壓1V，另一端接地，從而測(cè)得電流Ip，Rs_PW =（1/Ip）/（L/W），W和L分別是PW 方塊電阻的寬度和長(zhǎng)度。
影響方塊電阻 Rs_PW的因素包括以下兩方面：
1） PW 離子注入異常；
2） 離子注入損傷在退火過(guò)程中沒(méi)有激活。
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原文標(biāo)題：PW方塊電阻的測(cè)試條件-----《集成電路制造工藝與工程應(yīng)用》 溫德通 編著
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