降本增效取得新進(jìn)展，拉普拉斯申請(qǐng)晶圓圖形化工藝專利
來(lái)源：金融界
近日，據(jù)天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“拉普拉斯”）申請(qǐng)一項(xiàng)名為“晶圓圖形化工藝”的專利，公開(kāi)號(hào)CN202410574469.X。
專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N晶圓圖形化工藝，包括：將中子掩膜板置于晶圓的表面；產(chǎn)生中子流射向中子掩膜板；關(guān)閉中子流，移除中子掩膜板；去除第一部分以及與第一部分對(duì)應(yīng)的晶圓；去除第二部分。本申請(qǐng)的晶圓圖形化工藝，利用中子流穿過(guò)中子掩膜板的間隙對(duì)晶圓表面的含硼涂層進(jìn)行選擇性轟擊，使被轟擊的含硼涂層（第一部分）發(fā)生質(zhì)變，從而能使第一部分以及與第一部分對(duì)應(yīng)的部分晶圓被去除，進(jìn)而完成圖形化。本申請(qǐng)的晶圓圖形化工藝無(wú)需極紫外光，也就沒(méi)有EUV光刻工藝中由于光線反射過(guò)程造成的能量損耗，因而能量利用率更高。本申請(qǐng)的晶圓圖形化工藝無(wú)需昂貴、限制較多的EUV光源，無(wú)需超高精度加工的光路系統(tǒng)，因此有利于節(jié)約成本，且適用范圍更廣。
審核編輯 黃宇
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