四種類型的MOSFET的電路符號

MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管的英文縮寫，由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據(jù)導電溝道類型和柵極驅(qū)動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。

四種類型的MOSFET的主要區(qū)別如下：

N溝道-增強型MOSFET

導電溝道是N型半導體，開通電壓VTH ＞0V。當柵-源電壓VGS =0V時，其導電溝道尚未形成，器件處于關(guān)斷狀態(tài)；當外加柵-源電壓VGS >VTH時，其導電溝道因反型而形成，器件處于開通狀態(tài)。由于在柵-源電壓零偏時，器件處于關(guān)斷狀態(tài)，增強型器件又稱為“常關(guān)”（Normally Off）器件。

N溝道-耗盡型MOSFET

導電溝道是N型半導體，關(guān)斷電壓VGS (OFF) ＜0V。當柵-源電壓VGS =0V時，其導電溝道就已經(jīng)存在，器件處于導通狀態(tài)；當外加柵-源電壓VGS ＜VGS(OFF) 時，其導電溝道因耗盡而消失，器件處于關(guān)斷狀態(tài)。由于在柵-源電壓零偏時，器件處于導通狀態(tài)，耗盡型器件又稱為“常開”（Normally On）器件。

P溝道-增強型MOSFET

導電溝道是P型半導體，開通電壓VTH ＜0V。當柵-源電壓VGS =0V時，其導電溝道尚未形成，器件處于關(guān)斷狀態(tài)；當外加柵-源電壓VGS ＜VTH時，其導電溝道因反型而形成，器件處于開通狀態(tài)。

P溝道-耗盡型MOSFET

導電溝道是P型半導體，關(guān)斷電壓VGS(OFF) ＞0V。當柵-源電壓VGS =0V時，其導電溝道就已經(jīng)存在，器件處于導通狀態(tài)；當外加柵-源電壓VGS ＞VGS(OFF) 時，其導電溝道因耗盡而消失，器件處于關(guān)斷狀態(tài)。