ARK（方舟微）的MOSFET產(chǎn)品簡介

ARK（方舟微）研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主（包括具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓（UltraVt?）耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品），以及N溝道-增強(qiáng)型MOSFET和P溝道-增強(qiáng)型MOSFET。產(chǎn)品耐壓等級覆蓋0～1700V區(qū)間。

ARK（方舟微）的MOSFET產(chǎn)品大部分都具有柵極ESD保護(hù)設(shè)計，在一定程度上能夠有效避免客戶在元件貼裝過程中或使用過程中因ESD而出現(xiàn)的產(chǎn)品失效，具有ESD保護(hù)設(shè)計的MOSFET在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖上有如下特征：

怎么避免和增強(qiáng)型MOSFET混淆？

部分客戶在初次接觸耗盡型MOSFET時，若未先行查看其產(chǎn)品規(guī)格書，則可能會按照測試增強(qiáng)型MOSFET的方式直接對其進(jìn)行測試，由于耗盡型MOSFET在柵極零偏壓時為導(dǎo)通狀態(tài)，因此會認(rèn)為器件屬于失效產(chǎn)品。

常用的區(qū)分方法是：

查閱產(chǎn)品規(guī)格書，通過規(guī)格書中的介紹和參數(shù)定義進(jìn)行判斷。

可直接在G極浮空的情況下，使用萬用表對MOSFET的D-S導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行測量，若測得MOSFET的D-S為導(dǎo)通狀態(tài)，且所測阻值約為產(chǎn)品規(guī)格書中定義的導(dǎo)通電阻值，則表明該MOSFET為耗盡型MOSFET；若測得MOSFET的D-S為開路狀態(tài)，則表明該MOSFET為增強(qiáng)型MOSFET。

耗盡型MOSFET與JFET的管腳區(qū)分

JFET的D、S管腳通常是對稱的，即D、S管腳在使用時可以互換；而ARK（方舟微）的耗盡型MOSFET的D、S管腳不具有對稱性，在使用時D、S管腳不能互換。

對于N溝道-耗盡型MOSFET，當(dāng)電流方向?yàn)镈→S時，電流僅能從溝道流過；當(dāng)電流方向?yàn)镾→D時，電流較小時從溝道流過（體二極管未導(dǎo)通），電流較大時，會同時從溝道和體二極管流過；N溝道-耗盡型MOSFET關(guān)斷后只能阻斷D→S方向的電壓。

耗盡型MOSFET與JFET的柵極-源極結(jié)構(gòu)近似嗎？

JFET的G-S、G-D之間的結(jié)構(gòu)為PN結(jié)，而耗盡型MOSFET屬于絕緣柵結(jié)構(gòu)，MOSFET的柵極與半導(dǎo)體材料之間隔著柵氧化層，因此通常認(rèn)為MOSFET的輸入阻抗遠(yuǎn)大于JFET。另外因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu)上的差異，使得JFET在一定條件下，其G-S可以作為二極管使用，而耗盡型MOSFET的G-S則無法作為二極管使用。

實(shí)際上MOSFET的輸入阻抗還和芯片本身的結(jié)構(gòu)及芯片大小相關(guān)，ARK（方舟微）研發(fā)的MOSFET大多具有ESD保護(hù)設(shè)計，在MOSFET的G-S間并聯(lián)有ESD保護(hù)二極管，因此我們會在其產(chǎn)品規(guī)格書中看到部分MOSFET的IGSS漏電流可能會達(dá)到微安級。