工況條件下，電路容易受到外來干擾源的干擾，主要表現(xiàn)在靜電釋放、快速脈沖群、開關(guān)噪聲以及雷擊。

GB/T 17626系列標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了各應(yīng)用場景的電氣設(shè)備應(yīng)滿足的防護(hù)等級以及實驗方法。以充電設(shè)備防護(hù)等級要求為例：

(1)接口電路靜電放電抗擾度3 級：

接觸放電6KV，空氣放電8KV

(2)射頻電磁場輻射抗擾度3 級：

試驗場強(qiáng)10V/m

(3)電快速瞬變脈沖群抗擾度3級：

信號端口1KV 5KHZ或1KV 100KHZ

(4)浪涌（沖擊）抗擾度3 級：

線線間開路試驗電壓1kv

線地間開路試驗電壓2kv

由于存在以上要求，我們在做硬件設(shè)計時，不能只考慮電路功能正常，還應(yīng)滿足以上要求，以實際應(yīng)用中的電路圖為例：

圖中GDT3為氣體放電管，當(dāng)總線上的脈沖電壓高于600V，氣體放電管被擊穿，放電速率為100V/s，此時總線電壓為68-112 。

PTC5和PTC6是熱敏電阻，當(dāng)流過其電流大于120mA時斷開，小于時接通，有效抑制浪涌沖擊。

D8是TVS，當(dāng)總線脈沖電壓大于26.2V，TVS二極管導(dǎo)通，將總線脈沖電壓鉗位到40V以下，保護(hù)ISO1050。以上實現(xiàn)了CAN總線的三級保護(hù)，使設(shè)備能應(yīng)對工況現(xiàn)場的干擾。

使用ISO1050時，應(yīng)特別注意其內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，TXD如圖：IN的內(nèi)部集成了500Ω的電阻，數(shù)據(jù)手冊中說明IN為高時，最小電流為-70mA,IN為低時，最大電流為70mA,TXD如果接3.3V的MCU或CPU時，最大電流為3.3V/500Ω=6mA,對于MCU來說一般不會出現(xiàn)過流，對CPU來說，可能出現(xiàn)過流導(dǎo)致系統(tǒng)死機(jī)，使用CPU時，一般將電流控制在1mA左右。

RXD如圖：OUT引腳數(shù)據(jù)手冊中說明IN為高時，最小電流為-4mA,IN為低時，最大電流為4mA,沒有串聯(lián)電阻，若直接連到CPU或MCU，會導(dǎo)致CPU或MCU的引腳過流，導(dǎo)致系統(tǒng)死機(jī)，或在降低使用壽命。因此必須在OUT串聯(lián)電阻，確保電流在1mA左右。