基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET 。Nexperia（安世半導(dǎo)體）在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，從 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半導(dǎo)體）豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為 650 V 的 E-mode GaN FET（RDS(on)值介于 80 mΩ 至 190 mΩ 之間），提供 DFN 5x6 mm 和 DFN 8x8 mm 兩種封裝。這些產(chǎn)品可在高電壓（< 650 V）、低功率的數(shù)據(jù)通訊/電信、消費類充電、太陽能和工業(yè)應(yīng)用中提高電源轉(zhuǎn)換效率，還可用于高精度無刷直流電機和緊湊型服務(wù)器設(shè)計，以實現(xiàn)更高扭矩和更大功率。?

Nexperia（安世半導(dǎo)體）現(xiàn)還提供采用 WLCSP8 封裝的100 V（3.2 mΩ）GaN FET 和采用 FCLGA 封裝的150 V（7 m?）GaN FET 。這些器件適合各種低電壓（<150 V）、高功率應(yīng)用，例如，數(shù)據(jù)中心使用的高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、快速充電（電動出行類和 USB-C 類）、小尺寸 LiDAR 收發(fā)器、低噪聲 D 類音頻放大器以及功率密度更高的消費類設(shè)備（如手機、筆記本電腦和游戲主機）。?

在許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中， GaN FET 憑借緊湊型解決方案尺寸能實現(xiàn)更高的功率效率，從而顯著降低物料（BOM）成本。因此， GaN 器件在主流電力電子市場逐漸得到了廣泛應(yīng)用，包括服務(wù)器計算、工業(yè)自動化、消費類應(yīng)用和電信基礎(chǔ)設(shè)施?；?GaN 的器件具備快速轉(zhuǎn)換/開關(guān)能力（高 dv/dt 和 di/dt），可在低功率和高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供出色的效率。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 E-mode GaN FET 具有出色的開關(guān)性能，這得益于極低的 Qg和 QOSS值，并且低 RDS(on)有助于實現(xiàn)更高的功率效率設(shè)計。

這些新器件進一步擴充了 Nexperia（安世半導(dǎo)體）豐富的 GaN FET 產(chǎn)品系列，適合各種功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。產(chǎn)品組合包括支持高電壓、高功率應(yīng)用的級聯(lián)器件，支持高電壓、低功率應(yīng)用的 650 V E-mode 器件和支持低電壓、高功率應(yīng)用的 100/150 V E-mode 器件。此外， Nexperia E-mode GaN FET 采用8英寸晶圓生產(chǎn)線制造以提高產(chǎn)能，符合工業(yè)級的 JEDEC 標準。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 GaN 器件產(chǎn)品系列不斷擴充，充分體現(xiàn)了 Nexperia（安世半導(dǎo)體）堅守承諾，促進優(yōu)質(zhì)硅器件和寬禁帶技術(shù)發(fā)展的決心。

審核編輯 黃宇