DL-ISO高壓光隔離探頭
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式,是GaN 和 SiC 器件測(cè)試的理想探頭。
GaN 和 SiC 測(cè)試的理想探頭
1GHz帶寬的DL-ISO高壓光學(xué)隔離探頭是表征氮化鎵(GaN)FET/MOSFET和碳化硅(SiC)IGBT以及其他寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的理想選擇。
它具有高共模抑制比,這使得它非常適合于上管的浮地柵極驅(qū)動(dòng)測(cè)量,包括觀察米勒效應(yīng)。
靈活的探頭前端
Teledyne LeCroy DL-ISO探頭前端非常靈活,可以彎曲到狹窄的空間,連接簡(jiǎn)單。
在確定是要測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗、傳導(dǎo)損耗,還是只想利用高共模抑制比進(jìn)行上管柵極驅(qū)動(dòng)或柵極源極測(cè)量時(shí),選擇正確的探針前端非常重要。
審核編輯:劉清
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3224瀏覽量
65228 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2207瀏覽量
76791 -
MOSFET管
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
28瀏覽量
9943
原文標(biāo)題:探頭選擇 | 視頻詳解DL-ISO高壓光隔離探頭
文章出處:【微信號(hào):美國(guó)力科TeledyneLeCroy,微信公眾號(hào):美國(guó)力科TeledyneLeCroy】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
GaN與SiC功率器件深度解析

同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT
干貨必讀|光隔離探頭為什么在雙脈沖測(cè)試中不可或缺
麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件
報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)
GaN和SiC區(qū)別
什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件?
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試中的探頭應(yīng)用
力科推高壓光隔離探頭和功率器件測(cè)試軟件
使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容

GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

評(píng)論