亚洲av成人精品日韩一区,97久久久精品综合88久久,玩弄japan白嫩少妇hd,亚洲av片不卡无码久久,玩弄人妻少妇500系列

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

存儲(chǔ)廠商證實(shí)利基型DRAM與NOR Flash均已漲價(jià)

璟琰乀 ? 來源:IT之家 ? 作者:問舟 ? 2020-12-08 13:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

存儲(chǔ)器 IC 設(shè)計(jì)廠晶豪科技 (ESMT)昨日公開表示,利基型 DRAM 與 NOR Flash 均已漲價(jià)。

晶豪科技指出,利基型 DRAM 部分價(jià)格已開始調(diào)高,合約價(jià)方面則將從明年第一季起開始調(diào)漲,上半年價(jià)格有望一路走漲;NOR Flash 市場情況相同,同樣已漲價(jià),明年有望進(jìn)一步調(diào)漲。

IT之家查詢發(fā)現(xiàn),包括三星、SK 海力士、美光、南亞等各大廠商 DRAM 出貨價(jià)均有不同程度上漲,而閃存 Flash 市場基本無波瀾。

對于漲價(jià)的 問題,晶豪科技稱晶圓代工自 9 月下旬起,產(chǎn)能就處于供不應(yīng)求的狀態(tài),而且近期晶圓代工與封測成本有所上漲,價(jià)格也需要相對應(yīng)調(diào)整。此外,若產(chǎn)能持續(xù)緊張的話,明年第一、二季價(jià)格將持續(xù)走高。

晶豪科技還表示,除利基型 DRAM 產(chǎn)品外,受藍(lán)牙耳機(jī)等產(chǎn)品的帶動(dòng),NOR Flash 近期市場狀況同樣不錯(cuò),明年有望進(jìn)一步漲價(jià)。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IC
    IC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    36

    文章

    6123

    瀏覽量

    179359
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    38

    文章

    7651

    瀏覽量

    167366
  • 內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    3123

    瀏覽量

    75263
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Nor flash芯片低溫?zé)o法啟動(dòng)

    關(guān)于針對NOR Flash芯片在低溫環(huán)境下無法啟動(dòng)的問題,詳細(xì)分析與解決方案如下所述: 1. 低溫失效原因分析 1.1 半導(dǎo)體物理特性變化 閾值電壓(Vth)漂移:低溫下MOSFET閾值電壓升高(約
    的頭像 發(fā)表于 06-30 17:23 ?151次閱讀
    <b class='flag-5'>Nor</b> <b class='flag-5'>flash</b>芯片低溫?zé)o法啟動(dòng)

    全球?qū)S眯?b class='flag-5'>存儲(chǔ)產(chǎn)品市場分析

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,專用型存儲(chǔ)芯片通常有特定的應(yīng)用需求,或是在特定的市場細(xì)分中有競爭優(yōu)勢。當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的品類主要包括NOR?Flash、SLC?NAND?Flash、利
    發(fā)表于 06-29 06:43 ?1203次閱讀
    全球?qū)S眯?b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>產(chǎn)品市場分析

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

    、引導(dǎo)代碼、操作系統(tǒng)(在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、汽車電子、工控設(shè)備中),需要直接執(zhí)行代碼的場景。不是大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)主力。 4. 關(guān)鍵特性對比表 特性 DRAM SRAM NAND Flash N
    發(fā)表于 06-24 09:09

    2025存儲(chǔ)國產(chǎn)化進(jìn)程加速:存儲(chǔ)芯片主要廠商介紹

    在全球供應(yīng)鏈緊張和國產(chǎn)替代需求推動(dòng)下,國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,形成設(shè)計(jì)到封測一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲(chǔ)等六大上市公司在NOR/NANDFlash
    的頭像 發(fā)表于 05-12 16:01 ?1605次閱讀
    2025<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>國產(chǎn)化進(jìn)程加速:<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>芯片主要<b class='flag-5'>廠商</b>介紹

    MCU片上Flash

    保留能力,支持多次擦寫操作,是MCU程序存儲(chǔ)的核心介質(zhì)。 主要類型? NOR Flash?:支持隨機(jī)訪問,可直接運(yùn)行代碼,適用于實(shí)時(shí)性要求高的場景。 NAND Flash?:需通過RA
    的頭像 發(fā)表于 05-06 14:26 ?343次閱讀

    兆易創(chuàng)新專訪:SPI NOR Flash全面賦能AI與汽車電子創(chuàng)新?

    在2025慕尼黑上海電子展上,兆易創(chuàng)新(GigaDevice)展示了其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)與市場布局。作為國內(nèi)存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè),兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:12 ?1815次閱讀
    兆易創(chuàng)新專訪:SPI <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>全面賦能AI與汽車電子創(chuàng)新?

    存儲(chǔ)技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的&quot;門道之爭&quot;

    門電路玄機(jī) NOR Flash:Intel 1988 年革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代 NAND Flash:東芝 1989 年發(fā)布,開創(chuàng) "低成本比特" 存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 03-18 12:06 ?525次閱讀

    2024年全球存儲(chǔ)銷售收入規(guī)模創(chuàng)歷史新高,4Q24 DRAM/NAND Flash市占排名出爐

    應(yīng)用市場疲軟的影響下,四季度DRAM和NAND Flash市場表現(xiàn)已經(jīng)出現(xiàn)了明顯分化。 站在現(xiàn)階段的時(shí)間節(jié)點(diǎn),存儲(chǔ)市場的供需關(guān)系再度站上十字路口。 在1Q25存儲(chǔ)行情全面下行的情況下,
    發(fā)表于 02-21 16:00 ?805次閱讀
    2024年全球<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>銷售收入規(guī)模創(chuàng)歷史新高,4Q24 <b class='flag-5'>DRAM</b>/NAND <b class='flag-5'>Flash</b>市占排名出爐

    羅徹斯特電子為傳統(tǒng)應(yīng)用提供卓越的內(nèi)存支持 為并行NOR Flash提供持續(xù)供貨支持

    ,得以繼續(xù)生產(chǎn)4Mb和8Mb 5V的NOR Flash產(chǎn)品。 閃存帶給電子行業(yè)的影響是巨大的,基于并行NOR Flash技術(shù)的初始設(shè)備成為板載代碼
    發(fā)表于 12-17 10:33 ?307次閱讀

    基于NXP MCXA153 MCU實(shí)現(xiàn)RT-Thread的MTD NOR Flash驅(qū)動(dòng)

    在嵌入式系統(tǒng)中,片上Flash存儲(chǔ)器是一個(gè)關(guān)鍵組件,用于存儲(chǔ)程序代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù)。本文將詳細(xì)介紹如何在NXPMCXA153 MCU上實(shí)現(xiàn)RT-Thread的MTD (Memory Technology Device)
    的頭像 發(fā)表于 11-09 14:00 ?1158次閱讀
    基于NXP MCXA153 MCU實(shí)現(xiàn)RT-Thread的MTD <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>驅(qū)動(dòng)

    DRAM存儲(chǔ)器的特性有哪些

    DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多
    的頭像 發(fā)表于 10-12 17:06 ?2368次閱讀

    物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲(chǔ)方案詳解_SPI NOR Flash

    SPI NOR FLASH存儲(chǔ)器在初始響應(yīng)和啟動(dòng)時(shí)提供高可靠性,并具有低時(shí)延。這一特性對于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備至關(guān)重要,因?yàn)槲锫?lián)網(wǎng)設(shè)備通常需要快速啟動(dòng)并穩(wěn)定運(yùn)行,以確保數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)傳輸和處理。 2、直接執(zhí)行代碼的能力 SPI
    的頭像 發(fā)表于 09-24 14:39 ?1135次閱讀
    物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>方案詳解_SPI <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>

    DRAM存儲(chǔ)器的基本單元

    DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡潔而高效,主要由一個(gè)晶體管(MOSFET)和一個(gè)電容組成,這一組合使得DRAM
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:42 ?2158次閱讀

    飛凌嵌入式-ELFBOARD 硬件分享之-存儲(chǔ)器及其分類

    只讀存儲(chǔ)器?——這些存儲(chǔ)器都是在ROM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,名稱屬于歷史遺留問題。 1980年,Flash Memory被發(fā)明出來,也就是我們說的閃存,1980年又一個(gè)日本科學(xué)家發(fā)明了Nor
    發(fā)表于 07-30 10:06

    NAND FlashNOR Flash哪個(gè)更好

    在討論NAND FlashNOR Flash哪個(gè)更好時(shí),我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析,包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。
    的頭像 發(fā)表于 07-29 16:59 ?2555次閱讀