◎◎○○○○○寫(xiě)入時(shí)間◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)在觸發(fā)器電路在電容器中保持電荷使鐵電發(fā)生極化將離子注入晶體管在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷
2019-04-21 22:57:08
大家可以看看終極
存儲(chǔ)器?。?/div>
2012-04-21 10:37:24
存儲(chǔ)器，顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解，本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)予以介紹。如果你對(duì)存儲(chǔ)器的相關(guān)知識(shí)具有興趣，不妨繼續(xù)往下
2020-12-25 14:50:34
的非易失性存儲(chǔ)器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開(kāi)發(fā)板來(lái)為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
是2.7V-3.3V.項(xiàng)目測(cè)試過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)在上電掉電的過(guò)程中，鐵電存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)無(wú)端的被改亂了，鐵電的數(shù)據(jù)被改的面貌全非。我們判斷是電壓低于2.7V時(shí)，STM32G070在正常工作，但鐵電已經(jīng)工作異常了，此時(shí)修改了數(shù)據(jù)
2024-03-13 08:04:03
我們公司是代理富士通鐵電存儲(chǔ)器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_(kāi)始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類(lèi)型的客戶(hù)，都普遍很少用，只是有一些對(duì)產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。 盡管從名稱(chēng)上說(shuō)，F(xiàn)RAM 是鐵電存儲(chǔ)器，但它不受磁場(chǎng)的影響，因?yàn)樾酒胁缓?b class="flag-6" style="color: red">鐵基材料（鐵）。 鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性，但是它們不受磁場(chǎng)的影響。 2. FRAM
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
電存儲(chǔ)器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問(wèn)題，同時(shí)又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。鐵電存儲(chǔ)器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專(zhuān)利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲(chǔ)器
2019-04-28 09:57:17
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲(chǔ)器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類(lèi)型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
。 隨著PCM存儲(chǔ)單元壓縮，發(fā)生狀態(tài)改變的GST材料體積縮小，所以可使功耗變小或更高的寫(xiě)入性能。PCM技術(shù)的這種獨(dú)一無(wú)二的特性使得其縮放能力超越其它存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用嵌入式系統(tǒng)中
2018-05-17 09:45:35
各位工程師可以看看可能有很多人對(duì)這個(gè)牌子的存儲(chǔ)器還比較陌生看完之后想必就會(huì)了解了！
2012-04-20 09:42:02
用一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器可取代原MCU需配置的2~3個(gè)不同的存儲(chǔ)器，統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)使用戶(hù)在成本和靈活性上獲益。這種集
2021-11-10 08:28:08
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
此RFID技術(shù)采用獨(dú)創(chuàng)的一項(xiàng)新的RFID芯片技術(shù)，不同于常規(guī)RFID芯片，此RFID沒(méi)有采用傳統(tǒng)EEPROM存儲(chǔ)器，而是應(yīng)用了彭澤忠博士發(fā)明的存儲(chǔ)器技術(shù)-XPMTM(超級(jí)永久性存儲(chǔ)器)技術(shù)
2010-12-11 10:08:29
1068 應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質(zhì)用于各種應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。富士通代理英尚微介紹富士通半導(dǎo)體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:521037 在基于LORA的采集系統(tǒng)中，先通過(guò)傳感器采集信息，并將信息進(jìn)行放大等調(diào)理后，傳輸?shù)街骺豈CU，最后主控MCU通過(guò)LORA的無(wú)線傳輸方式傳輸?shù)胶蠖耍淖止?jié)的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）設(shè)備PB85RS128就可應(yīng)用其中
2022-12-14 14:51:13384 國(guó)芯思辰接觸的一個(gè)客戶(hù)在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個(gè)小的存儲(chǔ)器件用來(lái)存儲(chǔ)少量的數(shù)據(jù)。此前該客戶(hù)使用進(jìn)口的富士通MB85RS128B，現(xiàn)需要一個(gè)與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國(guó)產(chǎn)器件用作國(guó)產(chǎn)化備選方案
2022-12-20 16:23:04584 PB85RS128鐵電存儲(chǔ)器是不需要備用電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32672 在門(mén)禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě)”、“高擦寫(xiě)耐久性”的特點(diǎn)（100萬(wàn)次寫(xiě)入周期、長(zhǎng)達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時(shí)效）。
2023-03-01 14:03:55361 PLC一般指可編程邏輯控制器（可編程控制器件），這是一種專(zhuān)門(mén)為在工業(yè)環(huán)境下應(yīng)用而設(shè)計(jì)的數(shù)字運(yùn)算操作電子系統(tǒng)。它采用一種可編程的存儲(chǔ)器，在其內(nèi)部存儲(chǔ)執(zhí)行邏輯運(yùn)算、順序控制、定時(shí)、計(jì)數(shù)和算術(shù)運(yùn)算等操作
2023-04-19 09:47:16594 
PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無(wú)污染。
2023-04-20 11:29:57224 PLC的主機(jī)部分由中央處理器、輸入/輸出接口（I/0接口）通信、擴(kuò)展接口、儲(chǔ)存器、設(shè)備接口和電源等部分構(gòu)成。其中，基于京微齊力FPGA HME-M7和舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC的PLC系統(tǒng)已成為最佳解決方案。
2023-05-06 14:32:44893 
鐵電存儲(chǔ)器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，讀寫(xiě)速度較慢，存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫(xiě)后容易損壞，無(wú)法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求，故此，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫(xiě)，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫(xiě)操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲(chǔ)器都無(wú)法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48188 
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
在數(shù)據(jù)采集中，某些變化緩慢的直流信號(hào)，需要長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)測(cè)記錄信號(hào)變化;用性能可靠的移動(dòng)存儲(chǔ)器接在工作現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行數(shù)據(jù)自動(dòng)記錄采集，待采集完成后取回并接到計(jì)算機(jī)讀取分析，是解決這類(lèi)問(wèn)題的最佳辦法。本文介紹的移動(dòng)數(shù)據(jù)采集器，關(guān)鍵在于解決移動(dòng)時(shí)掉電數(shù)據(jù)保持問(wèn)題以及在大容量的存儲(chǔ)空間保證足夠的分辨率和記錄時(shí)長(zhǎng)。
2023-06-15 10:05:43349 
信息，容量要求128K，SOP8封裝。這里提到拍字節(jié)VFRAMPB85RS128C（原P95S128KSWSP3TF），PB85RS128C是FRAM（鐵電隨機(jī)存
2022-08-19 14:08:11379 
藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上，主控自帶的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)往往不夠用，這時(shí)候就需要外掛存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲(chǔ)，本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128C在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備中進(jìn)
2022-09-19 14:00:42531 
音頻電話會(huì)議需記錄會(huì)議中的重要信息，所以其用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)模塊的存儲(chǔ)器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話會(huì)議的簡(jiǎn)略框圖，該方案中存儲(chǔ)模塊采用拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件可替換賽普拉斯
2022-09-30 15:36:33448 、128KB容量、低功耗、工作電壓低至2.8V，而且必須是SPI通訊。根據(jù)項(xiàng)目需求，我們提到了拍字節(jié)的PB85RS128C，兼容SPI通信接口，工作電壓2.7V~3.6
2022-10-13 14:29:37439 
，越是對(duì)使用有限制、有要求的場(chǎng)景，就越會(huì)使用FRAM來(lái)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的重要信息，在一汽車(chē)尾門(mén)控制器中，就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C，本文將詳細(xì)介紹相關(guān)參數(shù)及應(yīng)用
2022-10-18 17:50:29342 
128C，支持SPI和百萬(wàn)次讀寫(xiě)周期，-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節(jié)的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM，該鐵電存儲(chǔ)器用于智能照明燈有如
2022-11-17 14:37:32499 
PB85RS128C是國(guó)產(chǎn)128KbFRAM，其運(yùn)行電流為5mA，低功耗模式下電流在10μA以?xún)?nèi)，滿足汽車(chē)鑰匙對(duì)存儲(chǔ)器的功耗要求。應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：?在供電方面，拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)
2022-11-23 10:25:54449 
)PB85RS128，該FRAM采用SPI接口，同時(shí)支持工業(yè)級(jí)-40℃~85℃的溫度范圍，也被廣泛用于儀器儀表、安全系統(tǒng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)設(shè)備等。PB85RS
2022-11-25 09:27:52474 
的PB85RS128，該款鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）采用標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口進(jìn)行通信，包含128Kb內(nèi)存容量。無(wú)線耳機(jī)的基本原理框圖在無(wú)線耳機(jī)中使用PB85RS128，會(huì)帶來(lái)
2022-11-29 10:25:59423 
隨著國(guó)產(chǎn)芯片的崛起，國(guó)內(nèi)終端工廠對(duì)于國(guó)產(chǎn)化的需求也在不斷增加。國(guó)芯思辰接觸的一個(gè)工程師在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個(gè)小的存儲(chǔ)器件用來(lái)存儲(chǔ)少量的數(shù)據(jù)。此前該項(xiàng)目使用進(jìn)口的富士通
2022-12-02 15:01:31392 
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-03-31 11:49:58340 
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-04-21 10:59:11294 
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-05-22 10:40:41234 
，鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫(xiě)入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25393 
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:03382 氨氣檢測(cè)儀可以快速測(cè)定在工業(yè)燃燒、農(nóng)業(yè)養(yǎng)殖以及日常生活中氨氣濃度，檢測(cè)儀提供的數(shù)據(jù)，包括多采樣點(diǎn)的氨氣濃度值、采樣通道和時(shí)間報(bào)警信息以及檢測(cè)儀系統(tǒng)自身的參數(shù)信息等。
2023-07-13 09:06:50279 
增強(qiáng), 例如要記錄下電動(dòng)汽車(chē)運(yùn)行中的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù), 以便進(jìn)行故障分析時(shí), 就需要進(jìn)行DSP 外部存儲(chǔ)空間的擴(kuò)展。
2023-07-13 09:12:42349 
中，同時(shí)，外接計(jì)算機(jī)亦可通過(guò)串口通信數(shù)據(jù)線將儀器中的規(guī)程讀出及刪除。在規(guī)程存儲(chǔ)中，需要采用目前比較先進(jìn)的非易失性鐵電存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)規(guī)程數(shù)據(jù)。
2023-07-20 09:28:48288 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:04
7 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 器必須具有如下三方面的功能：1、寫(xiě)入速度快，能及時(shí)記錄數(shù)據(jù)，2、能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)，3、能記錄數(shù)據(jù)發(fā)生的準(zhǔn)確時(shí)刻。使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫(xiě)入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問(wèn)題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問(wèn)題就將迎刃而解。將國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
就需要一塊非易失性存儲(chǔ)芯片來(lái)儲(chǔ)存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
耗盡導(dǎo)致設(shè)備故障；本文推薦使用FRAM PB85RS2MC用于CT掃描機(jī)控制系統(tǒng)，它具有很多無(wú)可超越的優(yōu)點(diǎn)，包括快速寫(xiě)入、耐久性、低功耗和耐輻射性，能夠替代SRAM
2023-08-11 11:18:20
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用，鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫(xiě)入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有這類(lèi)內(nèi)存才能夠可靠而無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲(chǔ)器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無(wú)論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
信息化時(shí)代的到來(lái)，帶來(lái)信息傳輸量激增，隨之而產(chǎn)生對(duì)新型數(shù)據(jù)傳輸方式的需求；在船舶監(jiān)控系統(tǒng)中，由于設(shè)備眾多，人員繁雜，而監(jiān)控的內(nèi)容有多種多樣，例如：各種設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)設(shè)備的電源狀態(tài)、設(shè)備間通訊狀態(tài)
2023-09-06 10:25:54
和智能化方向轉(zhuǎn)變。系統(tǒng)硬件原理圖如上圖所示，MCU控制單元是整個(gè)控制器的核心，在電源模塊、晶振電路和看門(mén)狗電路的配合下，MCU對(duì)指示燈、蜂鳴器、磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路
2023-09-21 10:25:23
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫(xiě)入耐久度PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
為實(shí)現(xiàn)工廠設(shè)備智能化發(fā)展需求，可靠耐久的數(shù)據(jù)記錄的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)解決方案中不可或缺的一環(huán)。無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)在促進(jìn)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。優(yōu)點(diǎn)在于它的功耗極低，尺寸極小，安裝簡(jiǎn)便，對(duì)很多物聯(lián)網(wǎng)
2023-10-24 10:18:01
的系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)。 其中鐵電存儲(chǔ)器可使用國(guó)芯思辰PB85RS2MC，憑借高速讀寫(xiě)功能，記錄儀可以實(shí)時(shí)在線記錄現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)，并可以通過(guò)以太網(wǎng)通信方式與上位機(jī)進(jìn)行
2023-11-15 10:34:19
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫(xiě)操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)存儲(chǔ)要求的是國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
存儲(chǔ)中，鐵電存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門(mén)禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車(chē)記錄儀、工業(yè)儀器等等。國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
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