監(jiān)測數(shù)據(jù)是煤礦安全監(jiān)控系統(tǒng)的源頭，監(jiān)測數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性及完整性是煤礦安全生產(chǎn)的關(guān)鍵所在。然而現(xiàn)有監(jiān)控分站數(shù)據(jù)存儲容量有限，且多數(shù)不具備記憶功能，一旦通訊線路故障，會導(dǎo)致監(jiān)測數(shù)據(jù)批量丟失，給煤礦的安全生產(chǎn)帶來嚴(yán)重隱患。
2023-06-29 09:45:12
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串口RS-232/485輸入的數(shù)據(jù)透明存儲在SD卡中。數(shù)據(jù)存儲器采用模塊化設(shè)計，不需要用戶對現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行改造，實現(xiàn)數(shù)據(jù)實時存儲。該產(chǎn)品已廣泛使用于系統(tǒng)集成設(shè)備、自動化采集設(shè)備、高校、研究所重要實驗裝置
2012-11-20 14:00:52
Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
發(fā)展迅速?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據(jù)的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。 技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發(fā)展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據(jù)的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
flash存儲轉(zhuǎn)換成鐵電存儲,應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
遠(yuǎn)高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業(yè)中,數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展,保存的數(shù)據(jù)量越來越大,這就需要大容量的存儲器,而大容量的EEPROM性能指標(biāo)不是很高,尤其是擦寫次數(shù)和速度影響電能表自身的質(zhì)量。FM24C256在電能表中的使用,會提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
2019-07-11 06:08:19
）。 富士通的FRAM里使用了PZT（鋯鈦酸鉛）的鐵電物質(zhì)，其結(jié)晶結(jié)構(gòu)如下圖所示。 圖1鐵電存儲器的結(jié)晶結(jié)構(gòu) 方格中的Zr （鋯）或Ti （鈦）離子有兩個穩(wěn)定點，其性質(zhì)是在外部電場作用下會改
2020-05-07 15:56:37
保存.鐵電儲存器不需要定時更新, 調(diào)電后數(shù)據(jù)卻能夠繼續(xù)保存, 速度快而且不容易寫壞. 鐵電儲存器就是根據(jù)該原理設(shè)計而成.2鐵電儲存器的典型應(yīng)用2.1鐵電存儲器在電表存儲中的應(yīng)用2.1.1概述 在
2014-04-25 11:05:59
于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。Ramtron公司的鐵電存儲器技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)?shù)某墒?。最初?b class="flag-6" style="color: red">鐵電存儲器采用兩晶體管/兩電容器(2T/2C)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致元件體積相對過大。最近隨著鐵
2011-11-19 11:53:09
于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。Ramtron公司的鐵電存儲器技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)?shù)某墒?。最初?b class="flag-6" style="color: red">鐵電存儲器采用兩晶體管/兩電容器(2T/2C)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致元件體積相對過大。最近隨著鐵
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
世界領(lǐng)先的產(chǎn)品和技術(shù)為您提供最可靠的保障．CZJ-B2雙通道軸瓦振動監(jiān)測儀 測量對象，江陰三科儀表有限公司生產(chǎn)的用于對軸承、齒輪、襯套、軸套、直徑環(huán)、滑輪、收縮環(huán)、連接器等多種類型的金屬件進(jìn)行加熱
2017-06-08 14:32:08
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進(jìn)行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
（memdec）ld應(yīng)用于生成對存儲器的片選、de以及we信號中。片選信號是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平
2020-12-10 16:44:18
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
PiCCO監(jiān)測儀損傷更小，只需利用一條中心靜脈導(dǎo)管和一條動脈通路，無需使用右心導(dǎo)管，更適合兒科病人；各類參數(shù)結(jié)果可直觀應(yīng)用于臨床，無需加以解釋；監(jiān)測每次心搏測量，治療更及時；導(dǎo)管放置過程更簡便，無需
2019-09-12 09:11:00
stm32擴(kuò)展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
◎◎○○○○○寫入時間◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存儲單元存儲在觸發(fā)器電路在電容器中保持電荷使鐵電發(fā)生極化將離子注入晶體管在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷
2019-04-21 22:57:08
大家可以看看終極存儲器??！
2012-04-21 10:37:24
，ADSC引腳做什么。所有同步SRAM存儲器將具有這些引腳。從數(shù)據(jù)表中，我知道，例如，直接訪問與處理器或DMA控制器的使用。除了QDR、DDR存儲器之外，哪種類型的同步SRAM用于外部存儲器。感謝和問候蘇巴什
2019-08-15 07:02:35
`1、產(chǎn)品介紹 噪聲揚(yáng)塵監(jiān)測儀RS-ZSYC1-*是專門針對在建工程項目的揚(yáng)塵監(jiān)測設(shè)備（http://www.rkrun.cn）。該設(shè)備具有2路百葉盒，1路百頁盒可采集溫度、濕度、噪聲、氣壓;另1
2020-04-25 14:11:46
1、產(chǎn)品介紹 噪聲揚(yáng)塵監(jiān)測儀RS-ZSYC3-*是專門針對在建工程項目的揚(yáng)塵監(jiān)測設(shè)備（http://www.rkrun.cn）。設(shè)備具有泵吸功能采用高精度PM(PM2.5/PM10/TSP)傳感器
2020-04-26 17:01:32
數(shù)據(jù)存儲器（記錄儀）是一種超大容量的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。采用嵌入式系統(tǒng)控制芯片，將串口RS-232輸入的數(shù)據(jù)透明存儲在SD卡中。 該數(shù)據(jù)存儲器不需要用戶對現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行改造，實現(xiàn)數(shù)據(jù)實時存儲。可選擇鋰電池
2012-04-06 16:56:54
的非易失性存儲器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
我們公司是代理富士通鐵電存儲器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因為剛開始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。 盡管從名稱上說，F(xiàn)RAM 是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。 鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。 2. FRAM
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
總線速度寫入而無須任何寫等待時間；●超低功耗。這種鐵電存儲器ＦＲＡＭ克服了以往ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ寫入時間長、擦寫次數(shù)少的缺點，其價格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電ＮＶ－ＳＲＡＭ低很多，因而可廣泛應(yīng)用于
2019-04-28 09:57:17
、安裝方便等特點。氣體在線監(jiān)測儀廣泛應(yīng)用于城市雨污水管井、隧道電力電纜空氣質(zhì)量監(jiān)測、地下隧道污水井、城市綜合智慧管廊及城市生命線項目，可同時對空氣中的各種環(huán)境有可燃、有毒有害氣體進(jìn)行測量。二、 功能概述
2022-12-06 16:22:19
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
。在此，設(shè)計了一種基于嵌入式系統(tǒng)的電能質(zhì)量參數(shù)監(jiān)測儀，改進(jìn)了以往同類監(jiān)測儀的缺點，能實時地顯示出動態(tài)電能質(zhì)量的參數(shù)變化，具有較高的實際應(yīng)用價值。但電能質(zhì)量監(jiān)測儀具體有哪些較高的實際應(yīng)用價值，你們知道嗎？
2019-07-31 06:15:12
存儲器的一般用途是代碼儲存。系統(tǒng)需要一個相對較小進(jìn)的存儲，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲器，這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲器。在這
2018-05-17 09:45:35
絕緣監(jiān)測儀顧名思義就是測試絕緣電阻，這里所說的絕緣監(jiān)測儀是特指用于中性點不接地系統(tǒng)（IT）系統(tǒng)中監(jiān)測電網(wǎng)對地的絕緣電阻值的一種儀，也可以把絕緣監(jiān)測儀用于接地電網(wǎng)中，但是在接地電網(wǎng)中只能不在線監(jiān)測
2020-09-03 17:33:25
上傳主控芯片是atmel的Atmega32，USB監(jiān)測儀的另一個核心是TI的具有I2C接口、高精度的零漂移、雙向電流/電壓監(jiān)控芯片INA219（INA219中文數(shù)據(jù)手冊）。附件提供了USB監(jiān)測儀的原理圖、代碼等資料。
2016-07-22 10:50:26
用一個鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個不同的存儲器，統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)使用戶在成本和靈活性上獲益。這種集
2021-11-10 08:28:08
應(yīng)用于存儲及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的新一代存儲器
近年來由于因特網(wǎng)業(yè)務(wù)的平均帶寬每6個月至9個月就增加一倍因此對用于業(yè)務(wù)傳輸?shù)木W(wǎng)絡(luò)容量帶寬以及用于存儲生成該業(yè)務(wù)
2010-03-18 10:44:57
21 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
電池。MB85R2001中使用的存儲單元可用于1010次讀/寫操作，與Flash存儲器 和E2PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比，有了顯著改進(jìn)。使用與常規(guī)異步SRAM兼容的偽SRAM接口。 引腳 富士通
2020-06-28 16:04:16777 應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質(zhì)用于各種應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用。富士通代理英尚微介紹富士通半導(dǎo)體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:521037 在基于LORA的采集系統(tǒng)中，先通過傳感器采集信息，并將信息進(jìn)行放大等調(diào)理后，傳輸?shù)街骺豈CU，最后主控MCU通過LORA的無線傳輸方式傳輸?shù)胶蠖?，拍字?jié)的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機(jī)存取存儲器（FRAM）設(shè)備PB85RS128就可應(yīng)用其中
2022-12-14 14:51:13384 國芯思辰接觸的一個客戶在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個小的存儲器件用來存儲少量的數(shù)據(jù)。此前該客戶使用進(jìn)口的富士通MB85RS128B，現(xiàn)需要一個與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國產(chǎn)器件用作國產(chǎn)化備選方案
2022-12-20 16:23:04584 PB85RS128鐵電存儲器是不需要備用電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32672 在門禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點（100萬次寫入周期、長達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時效）。
2023-03-01 14:03:55361 PLC一般指可編程邏輯控制器（可編程控制器件），這是一種專門為在工業(yè)環(huán)境下應(yīng)用而設(shè)計的數(shù)字運算操作電子系統(tǒng)。它采用一種可編程的存儲器，在其內(nèi)部存儲執(zhí)行邏輯運算、順序控制、定時、計數(shù)和算術(shù)運算等操作
2023-04-19 09:47:16594 
鐵電存儲器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲的要求，故此，國產(chǎn)鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨特的優(yōu)點性能是其它存儲器都無法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48188 
和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
在數(shù)據(jù)采集中，某些變化緩慢的直流信號，需要長時間監(jiān)測記錄信號變化;用性能可靠的移動存儲器接在工作現(xiàn)場進(jìn)行數(shù)據(jù)自動記錄采集，待采集完成后取回并接到計算機(jī)讀取分析，是解決這類問題的最佳辦法。本文介紹的移動數(shù)據(jù)采集器，關(guān)鍵在于解決移動時掉電數(shù)據(jù)保持問題以及在大容量的存儲空間保證足夠的分辨率和記錄時長。
2023-06-15 10:05:43349 
信息，容量要求128K，SOP8封裝。這里提到拍字節(jié)VFRAMPB85RS128C（原P95S128KSWSP3TF），PB85RS128C是FRAM（鐵電隨機(jī)存
2022-08-19 14:08:11379 
藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上，主控自帶的數(shù)據(jù)存儲往往不夠用，這時候就需要外掛存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲，本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備中進(jìn)
2022-09-19 14:00:42531 
音頻電話會議需記錄會議中的重要信息，所以其用來存儲數(shù)據(jù)模塊的存儲器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話會議的簡略框圖，該方案中存儲模塊采用拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件可替換賽普拉斯
2022-09-30 15:36:33448 ，越是對使用有限制、有要求的場景，就越會使用FRAM來存儲系統(tǒng)中的重要信息，在一汽車尾門控制器中，就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C，本文將詳細(xì)介紹相關(guān)參數(shù)及應(yīng)用
2022-10-18 17:50:29342 
128C，支持SPI和百萬次讀寫周期，-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節(jié)的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM，該鐵電存儲器用于智能照明燈有如
2022-11-17 14:37:32499 
PB85RS128C是國產(chǎn)128KbFRAM，其運行電流為5mA，低功耗模式下電流在10μA以內(nèi)，滿足汽車鑰匙對存儲器的功耗要求。應(yīng)用優(yōu)勢：?在供電方面，拍字節(jié)鐵電存儲
2022-11-23 10:25:54449 
)PB85RS128，該FRAM采用SPI接口，同時支持工業(yè)級-40℃~85℃的溫度范圍，也被廣泛用于儀器儀表、安全系統(tǒng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)設(shè)備等。PB85RS
2022-11-25 09:27:52474 
的PB85RS128，該款鐵電存儲器（FRAM）采用標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口進(jìn)行通信，包含128Kb內(nèi)存容量。無線耳機(jī)的基本原理框圖在無線耳機(jī)中使用PB85RS128，會帶來
2022-11-29 10:25:59423 
國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代
2023-04-07 11:27:36271 
，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對寫入時間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應(yīng)用方便，本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25393 
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動數(shù)據(jù)存儲器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:03382 增強(qiáng), 例如要記錄下電動汽車運行中的實時數(shù)據(jù), 以便進(jìn)行故障分析時, 就需要進(jìn)行DSP 外部存儲空間的擴(kuò)展。
2023-07-13 09:12:42349 生物樣品分選儀是應(yīng)用于實驗室或醫(yī)療機(jī)構(gòu)的一種智能型分選工具，此生物樣品分選儀器具有多規(guī)程的特點，可以由外接計算機(jī)在專用軟件中創(chuàng)建、修改或刪除規(guī)程，再通過串口通信數(shù)據(jù)線將規(guī)程數(shù)據(jù)下載至與之相連的儀器
2023-07-20 09:28:48288 國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代
2023-10-13 10:00:41905 
PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 器必須具有如下三方面的功能：1、寫入速度快，能及時記錄數(shù)據(jù)，2、能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)，3、能記錄數(shù)據(jù)發(fā)生的準(zhǔn)確時刻。使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對寫入時間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應(yīng)用方便，本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
耗盡導(dǎo)致設(shè)備故障；本文推薦使用FRAM PB85RS2MC用于CT掃描機(jī)控制系統(tǒng)，它具有很多無可超越的優(yōu)點，包括快速寫入、耐久性、低功耗和耐輻射性，能夠替代SRAM
2023-08-11 11:18:20
發(fā)出警報聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲方案中。對于這些應(yīng)用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
的系統(tǒng)硬件設(shè)計。 其中鐵電存儲器可使用國芯思辰PB85RS2MC，憑借高速讀寫功能，記錄儀可以實時在線記錄現(xiàn)場數(shù)據(jù)，并可以通過以太網(wǎng)通信方式與上位機(jī)進(jìn)行
2023-11-15 10:34:19
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)存儲要求的是國產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
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