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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

一文解析NAND的閃存接口ONFI

ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡(jiǎn)化將 NAND 閃存...

2024-04-03 標(biāo)簽：控制器 NAND 閃存芯片 9656 0

三星SSD存儲(chǔ)產(chǎn)品報(bào)價(jià)上漲25%，市場(chǎng)面臨新一輪價(jià)格調(diào)整

AI浪潮中數(shù)據(jù)中心建設(shè)如火如荼，相關(guān)存儲(chǔ)設(shè)備需求急速增長(zhǎng)——近半個(gè)多月以來(lái)，基于NAND閃存的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）產(chǎn)品開(kāi)始供不應(yīng)求。

2024-04-02 標(biāo)簽：NAND 服務(wù)器 SSD 1117 0

請(qǐng)問(wèn)3D NAND如何進(jìn)行臺(tái)階刻蝕呢？

在3D NAND的制造過(guò)程中，一般會(huì)有3個(gè)工序會(huì)用到干法蝕刻，即：臺(tái)階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。

2024-04-01 標(biāo)簽：NAND 光刻膠 1476 0

芯片制作流程分解說(shuō)明

芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試，其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標(biāo)簽：芯片 NAND 晶圓 1908 0

什么是無(wú)定形碳膜？為什么選碳作為3D NAND的硬掩模？

無(wú)定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構(gòu)成但沒(méi)有長(zhǎng)程有序結(jié)構(gòu)的薄膜材料。

2024-03-22 標(biāo)簽：NAND PVD CVD 3949 0

NAND存儲(chǔ)種類(lèi)和優(yōu)勢(shì)

非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）與只讀存儲(chǔ)器（Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NA...

2024-03-22 標(biāo)簽：閃存 NAND 非易失性存儲(chǔ)器 1418 0

有了2D NAND，為什么要升級(jí)到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。

2024-03-17 標(biāo)簽：多晶硅 NAND FlaSh 1622 0

關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析（設(shè)計(jì)、制造和后制造）

半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 半導(dǎo)體制造 2097 0

復(fù)合門(mén)電路：與非門(mén)電路NAND電路圖

在邏輯電路中，二極管、晶體管等半導(dǎo)體器件也被用來(lái)作為開(kāi)關(guān)元器件發(fā)揮著很大的作用。因?yàn)闆](méi)有接點(diǎn)，所以被稱作無(wú)接點(diǎn)繼電器。

2024-02-03 標(biāo)簽：繼電器電路圖 NAND 4896 0

邏輯非運(yùn)算——NOT電路分析

NOT門(mén)可以將輸入的邏輯狀態(tài)進(jìn)行反轉(zhuǎn)。當(dāng)需要將邏輯信號(hào)反轉(zhuǎn)為相反的狀態(tài)時(shí)，NOT門(mén)可以很方便地實(shí)現(xiàn)這一功能。

2024-02-03 標(biāo)簽：NAND 晶體管邏輯門(mén)電路 4989 0

正點(diǎn)原子emmc和nand的區(qū)別

正點(diǎn)原子（DFRobot）是一家專業(yè)從事電子產(chǎn)品和開(kāi)源硬件的創(chuàng)新設(shè)計(jì)、研發(fā)和制造的公司。它生產(chǎn)了許多先進(jìn)的存儲(chǔ)設(shè)備，包括eMMC（embedded Mu...

2024-01-08 標(biāo)簽：NAND 開(kāi)源硬件 emmc 3699 0

常見(jiàn)的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用

LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡(jiǎn)稱“低功耗內(nèi)存...

2024-01-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器固態(tài)硬盤(pán) 1137 0

SSD常用術(shù)語(yǔ)的簡(jiǎn)單介紹

SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等，存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲(chǔ)...

2024-01-02 標(biāo)簽：控制器 DRAM NAND 2528 0

金士頓XS1000移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)評(píng)測(cè)

隨著NAND閃存的降價(jià)，現(xiàn)在除了PC臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦廣泛使用內(nèi)置SSD外，用戶的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備也普遍從移動(dòng)機(jī)械硬盤(pán)升級(jí)為了移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)。而為了帶給用戶更...

2023-12-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 金士頓 2090 0

致態(tài)Ti600 4TB SSD測(cè)評(píng)

前段時(shí)間長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)推出了首款QLC SSD，Ti600。Ti600之前已推出了500GB、1TB、2TB 3個(gè)容量配置，現(xiàn)在Ti600 又加推了...

2023-12-25 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 SSD 2077 0

什么是UFS？UFS需要做哪些仿真？UFS的發(fā)展史、組成及特點(diǎn)

UFS（Universal Flash Storage）即通用閃存存儲(chǔ)，是一種將Nand Flash和Flash controller 協(xié)議接口封裝在一...

2023-12-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh 仿真 4.3萬(wàn) 0

例說(shuō)Verilog HDL和VHDL區(qū)別

Verilog和VHDL之間的區(qū)別將在本文中通過(guò)示例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。對(duì)優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)的Verilog和VHDL進(jìn)行了討論。

2023-12-20 標(biāo)簽：NAND asic VHDL語(yǔ)言 5260 0

STM32用一線式驅(qū)動(dòng)SD NAND，SDIO的一線式驅(qū)動(dòng)

SDIO（Secure Digital Input/Output）是一種用于在嵌入式系統(tǒng)中連接外部設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)接口。在SDIO標(biāo)準(zhǔn)中，一線式和四線式是指S...

2023-12-19 標(biāo)簽：芯片嵌入式 NAND 1477 0

一文詳解SSD中的掉電保護(hù)（熱插拔）原理

作為企業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)NVMe塊設(shè)備接口的固態(tài)硬盤(pán)固件，需要保證在存儲(chǔ)系統(tǒng)遇到異常掉電的情況下，或?qū)ΡP(pán)進(jìn)行熱插拔操作的情況下，保證盤(pán)上數(shù)據(jù)的可用性，正確性和一致性。

2023-12-12 標(biāo)簽：Nand 熱插拔 SSD 1.3萬(wàn) 0

先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

近年來(lái)，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)處理以及存儲(chǔ)的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 1152 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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