nand

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

JK觸發(fā)器的原理和功能

JK觸發(fā)器，也被稱為通用可編程觸發(fā)器，是數(shù)字電路中的一種重要且功能強(qiáng)大的基本存儲(chǔ)器件。其名稱源自其兩個(gè)輸入端口J（置位）和K（復(fù)位），以及一個(gè)關(guān)鍵的控制...

2024-08-30 標(biāo)簽：NAND JK觸發(fā)器數(shù)字電路 8699 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述(15)命令類b

1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫部分塊，則塊長度-默認(rèn)塊長度(在CSD中給出)1...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SDIO接口 932 0

NAND Flash與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對(duì)NAND Flash優(yōu)...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 SSD硬盤 1325 0

恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間。

2024-08-08 標(biāo)簽：芯片 NAND 恩智浦 1149 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（8）專用命令CMD55 56

應(yīng)用專用命令app_cmd (CMD55) 當(dāng)卡接收到這個(gè)命令時(shí)，會(huì)使卡將下面的命令解釋為一個(gè)特定于應(yīng)用程序的命令A(yù)CMD。ACMD提供命令擴(kuò)展，具有與...

2024-08-08 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SD 1606 0

K210使用創(chuàng)世NAND flash完成火災(zāi)檢測

2024-08-10 標(biāo)簽：芯片 NAND FlaSh 1056 0

NAND Flash的擦寫次數(shù)介紹

NAND Flash作為非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的重要一員，其擦寫次數(shù)是評(píng)估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細(xì)介紹NAND Flash的擦寫次數(shù)，包括其定義...

2024-07-29 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)技術(shù) 5615 0

NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí)，我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。

2024-07-29 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND FlaSh 2573 0

NAND Flash與NOR Flash：壞塊管理需求的差異解析

NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù)，它們在存儲(chǔ)單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。

2024-07-10 標(biāo)簽：mcu NAND FlaSh 3347 0

貼片式SD卡功能介紹【MK SD NAND】

SDNAND，通常稱為嵌入式SD卡、貼片式TF卡、SD Flash、直接貼裝SD卡、貼裝卡、焊接式存儲(chǔ)卡、工業(yè)級(jí)TF卡、工業(yè)級(jí)SD卡或內(nèi)置SD卡，是為空...

2024-07-05 標(biāo)簽：mcu NAND SD卡 1644 0

掌握 SD NAND 貼片的重要注意事項(xiàng)

1、SD NAND回流焊的最高溫度不能超過260°（無鉛焊錫）.回流焊的參數(shù)設(shè)置還需要根據(jù)焊錫的熔點(diǎn)和板子的其他元器件回流焊參數(shù)來設(shè)置。如果使用含鉛焊錫...

2024-06-27 標(biāo)簽：NAND 貼片虛焊 676 0

【GD32F303紅楓派開發(fā)板使用手冊】第二十講 SPI-SPI NAND FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)

通過本實(shí)驗(yàn)主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容： ?SPI通信協(xié)議，參考19.2.1東方紅開發(fā)板使用手冊 ?GD32F303 SPI操作方式，參考19.2.2東方紅開發(fā)板...

2024-06-20 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND FlaSh 1911 0

SD NAND異常問題案例——文件系統(tǒng)篇

近期，有用戶在使用SD NAND中出現(xiàn)芯片出現(xiàn)讀寫異常現(xiàn)象，我們工程師對(duì)出現(xiàn)異常的3片芯片進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)3片均能正常讀卡，里面的文件大多數(shù)可以正常讀取，...

2024-06-14 標(biāo)簽：芯片 NAND 文件系統(tǒng) 927 0

深入解析MK米客方德 SD NAND與文件系統(tǒng)

MK米客方德的SD NAND，一款基于NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案，因其卓越的耐用性和小巧的體積，在市場中贏得了廣泛的認(rèn)可。這款產(chǎn)品遵循SD協(xié)會(huì)制...

2024-06-07 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND STM32 1000 0

關(guān)于SD NAND（貼片式TF卡）壞塊管理技術(shù)問答

每個(gè)Nand包含一個(gè)或多個(gè)Chip。Chip是可以獨(dú)立執(zhí)行命令并上報(bào)狀態(tài)的最小單元。每個(gè)Chip包含一個(gè)或多個(gè)plane。不同的plane間可以并發(fā)操...

2024-06-06 標(biāo)簽：NAND 壞塊管理 TF卡 1508 0

SD NAND 簡介

SD NAND是一種創(chuàng)新的存儲(chǔ)芯片，可直接貼片，又名貼片式TF卡、貼片式T卡、貼片式SD卡、貼片式內(nèi)存卡、SD Flash、Nand Flash等。它將...

2024-05-29 標(biāo)簽：NAND SD卡存儲(chǔ)芯片 1891 0

三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片，位密度提升50%

在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆...

2024-04-28 標(biāo)簽：NAND TLC V-NAND 1555 0

在i.MXRT1xxx系列上用NAND型啟動(dòng)設(shè)備時(shí)可用兩級(jí)設(shè)計(jì)縮短啟動(dòng)時(shí)間

去年痞子衡寫過一篇騷操作文章《借助i.MXRT10xx系列INIT_VTOR功能可以縮短程序熱重啟時(shí)間》，這對(duì)于 NAND 型啟動(dòng)設(shè)備上程序熱重啟時(shí)間...

2024-05-01 標(biāo)簽：NAND Vcc emmc 1179 0

3D NAND的主要工藝流程

3DNAND絕對(duì)是芯片制程的天花板，三星，海力士，英特爾，長江存儲(chǔ)等都有3DNAND的產(chǎn)線，代表了一個(gè)國家的芯片制造水平。今天，我們就來剖析一下3DNA...

2024-04-17 標(biāo)簽：芯片 NAND 3D 1934 0

韓國研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)新型超低功耗存儲(chǔ)設(shè)備

DRAM是最常用的存儲(chǔ)器之一，速度非?？?，但具有易失性特性，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)消失。NAND閃存是一種存儲(chǔ)設(shè)備，讀/寫速度相對(duì)較慢，但它具有非易失性特...

2024-04-08 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 524 0

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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