【GD32H757Z海棠派開(kāi)發(fā)板使用手冊(cè)】第四講 FMC-片內(nèi)Flash擦寫(xiě)讀實(shí)驗(yàn)

FMC即Flash控制器，其提供了片上Flash操作所需要的所有功能，在GD32H7XX系列MCU中，具有高達(dá)3840KB字節(jié)的片上閃存可用于存儲(chǔ)指令或...

2024-04-19 標(biāo)簽：FlaShFMC開(kāi)發(fā)板 2068 0

基于FPGA的內(nèi)存128M flash芯片控制器設(shè)計(jì)方案

這款flash芯片的的存儲(chǔ)是一個(gè)扇區(qū)4KB，一個(gè)扇區(qū)可以存256個(gè)字，一個(gè)字是8位，一個(gè)塊是64KB，一共有256個(gè)塊組成一個(gè)存儲(chǔ)flash內(nèi)存。

2024-04-19 標(biāo)簽：FPGAFlaSh內(nèi)存 1671 0

淺談MCU固件幾種Flash（閃存）劃分方式

Firmware A區(qū)用來(lái)固定執(zhí)行應(yīng)用程序，當(dāng)引導(dǎo)程序（BootLoader）將接收到的新固件存入到Firmware B區(qū)，并校驗(yàn)成功后，F(xiàn)irmwar...

2024-04-17 標(biāo)簽：mcu閃存FlaSh 2009 0

易靈思Jtag_bridge_loader生成-v2

Efinity版本：2023.1及以前版本。 易靈思器通過(guò)jtag bridge燒寫(xiě)flash時(shí)需要自己生成一個(gè)jtage birdge文件。jtage...

2024-04-15 標(biāo)簽：FPGAFlaShJTAG 2113 0

Matter工廠數(shù)據(jù)使用介紹（二）

接上一篇分享，我們將使用工廠數(shù)據(jù)構(gòu)建一個(gè)示例應(yīng)用，討論如何工廠數(shù)據(jù)以及大致介紹如何使用自己的工廠數(shù)據(jù)的實(shí)現(xiàn)。

2024-04-03 標(biāo)簽：FlaSh二進(jìn)制泰凌微 1015 0

flash激光雷達(dá)組成及優(yōu)勢(shì)

Flash激光雷達(dá)具有無(wú)掃描裝置、成像速度快、激光功率有限、檢測(cè)距離近、抗干擾能力差等優(yōu)點(diǎn)。

2024-03-28 標(biāo)簽：FlaSh激光器數(shù)字相機(jī) 1680 0

有了2D NAND，為什么要升級(jí)到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。

2024-03-17 標(biāo)簽：多晶硅NANDFlaSh 1615 0

如何在ADI DSP中設(shè)計(jì)一個(gè)合理的混響(上)

聲波在室內(nèi)傳播時(shí)，會(huì)被墻壁、天花板、地板等障礙物反射，每經(jīng)過(guò)反射一次都會(huì)被障礙物吸收一些。當(dāng)聲源停止發(fā)聲后，聲波在室內(nèi)要經(jīng)過(guò)多次反射和吸收，最后才消失。

2024-03-05 標(biāo)簽：dsp濾波器FlaSh 2134 0

如何在PSoC62 Evaluation kit開(kāi)發(fā)板上運(yùn)行RT-Thread呢？

本文主要介紹如何在PSoC62 Evaluation kit開(kāi)發(fā)板上運(yùn)行RT-Thread，如何連接CYW43012 WiFi藍(lán)牙模組，以及如何進(jìn)行Wi...

2024-02-27 標(biāo)簽：FlaSh調(diào)試器網(wǎng)絡(luò)帶寬 1757 0

GD32的FLASH讀、擦除、寫(xiě)操作

一，GD32的flash特征1、在flash的前256K字節(jié)空間內(nèi)，CPU執(zhí)行指令零等待；在此范圍外，CPU讀取指令存在較長(zhǎng)延時(shí)；2、對(duì)于flash大于...

2024-02-19 標(biāo)簽：FlaShcpuGD32 6150 0

淺談flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)和優(yōu)缺點(diǎn)

Flash存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫(xiě)成0，而不能從0寫(xiě)成1。因此，在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)位初...

2024-02-19 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)器Flash存儲(chǔ)器 5321 0

鐵電存儲(chǔ)器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫(xiě)入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。

2024-01-23 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)器fram 8284 0

瑞薩RL78系列單片機(jī)支持百萬(wàn)次讀寫(xiě)的數(shù)據(jù)閃存方法概述

早期的存儲(chǔ)器只能寫(xiě)一次，隨后紫外線擦寫(xiě)的存儲(chǔ)器問(wèn)世，支持上千次讀寫(xiě)操作。

2024-01-22 標(biāo)簽：單片機(jī)mcuFlaSh 3180 0

差分升級(jí)方案(上)—全量升級(jí)vs差分升級(jí)的主要特點(diǎn)比較

MCU固件升級(jí)可以通過(guò)編程器、調(diào)試器或其他設(shè)備輔助進(jìn)行操作，但這種升級(jí)方式主要應(yīng)用于產(chǎn)品研發(fā)評(píng)估及量產(chǎn)應(yīng)用階段。

2024-01-18 標(biāo)簽：ZigBee技術(shù)FlaShRAM 2339 0

基于樹(shù)莓派RP2040單片機(jī)設(shè)計(jì)的三階魔方還原機(jī)器人

這是一款基于樹(shù)莓派RP2040單片機(jī)設(shè)計(jì)的三階魔方還原機(jī)器人，控制和魔方求解都使用單片機(jī)完成。對(duì)于隨機(jī)打亂的三階魔方，平均還原步驟數(shù)在21步左右。

2024-01-12 標(biāo)簽：單片機(jī)機(jī)器人FlaSh 1976 0

STM32單片機(jī)程序是如何編譯，運(yùn)行的？

block 0 里面有一段叫做FLASH，也就是內(nèi)部FLASH，我們的程序就是下載到這個(gè)地方，起始地址是0X800 0000，大家注意，這個(gè)只有1M空間...

2024-01-12 標(biāo)簽：單片機(jī)FlaShsram 3352 0

RZ Loader APP工程修改方法

由于RZ工程正常啟動(dòng)時(shí)，代碼分成LDR部分和user部分，所以Bootloader可以分別對(duì)Application以上2部分進(jìn)行加載，在Bootload...

2024-01-09 標(biāo)簽：FlaShbootloaderLDR 973 0