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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc...

2023-02-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 FET 氮化鎵 2537 0

基于場(chǎng)效應(yīng)管的高靈敏度柔性葡萄糖傳感器設(shè)計(jì)

各種電子器件一直顯示出作為生物傳感器的潛力。近年來(lái)，人們對(duì)用于葡萄糖傳感的先進(jìn)技術(shù)進(jìn)行了廣泛的研究，例如光學(xué)傳感、電化學(xué)傳感和微波傳感。

2023-01-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 FET PET 907 0

OBC 充電器中的 SiC FET

2022-12-28 標(biāo)簽：充電器 FET SiC 1424 0

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開(kāi)關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。

2022-12-12 標(biāo)簽：FET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 1024 0

歐姆龍MOS FET繼電器：歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢(shì)有那些

歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢(shì)有那些？MOS FET繼電器是一種集兩種產(chǎn)品特性為一體的電子元器件，包括機(jī)械繼電器（簧片繼電器）及半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)裝置。與其他普...

2022-11-30 標(biāo)簽：繼電器 FET MOS 1484 0

貿(mào)澤電子開(kāi)售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022-10-27 標(biāo)簽：FET SiC 貿(mào)澤電子 1305 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用特性

今天我們來(lái)介紹結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，它在電路中的應(yīng)用特性是什么樣的。首先，讓我們簡(jiǎn)單說(shuō)說(shuō)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的屬性，它屬于單極型晶體管，跟晶體三極管、雙極型晶體管一樣屬...

2022-09-13 標(biāo)簽：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 FET 2196 0

CCPAK-GaN FET頂部散熱方案

長(zhǎng)期以來(lái)，在功率應(yīng)用方案中，熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí)，從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而，隨著輸出功率提升以及功率密...

2022-08-30 標(biāo)簽：晶體管散熱 FET 1879 0

碳化硅 (SiC) FET 推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展

甲碳化硅（SiC） JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型，它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個(gè)強(qiáng)大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子 FET 1479 0

最大限度地減少SiC FET中的EMI和開(kāi)關(guān)損耗

SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對(duì)于最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗非常有用，但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會(huì)...

2022-08-04 標(biāo)簽：emi FET SiC 1518 0

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...

2022-08-01 標(biāo)簽：FET SiC UnitedSiC 2033 0

寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái)，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...

2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 碳化硅 1995 0

JFET和MOSFET之間的區(qū)別是什么

電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），主要用于放大弱信號(hào)，主要是無(wú)線信號(hào)，放大模擬和數(shù)字信號(hào)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是一種使用電場(chǎng)效應(yīng)改變器件電性能的晶體...

2022-04-16 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制 3.7萬(wàn) 0

Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12...

2022-01-16 標(biāo)簽：充電器 FET 電源適配器 5009 0

淺析電子系統(tǒng)的浪涌管理和系統(tǒng)保護(hù)

Other Parts Discussed in Post: TPS3700作者：John Cummings? 德州儀器 ? 今天，防止電子產(chǎn)品出現(xiàn)...

2021-11-21 標(biāo)簽：電流電源管理電子系統(tǒng) 1698 0

跟大家聊聊RF MEMS

在 2019 年，Qorvo 宣布收購(gòu)高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics， Inc.（簡(jiǎn)稱：CK）。 ...

2021-08-23 標(biāo)簽：FET PIN 5G 3284 0

靈活的EPC2218增強(qiáng)模式氮化鎵功率晶體管

功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開(kāi)關(guān)速度、更小的器件體積這個(gè)趨勢(shì)發(fā)展，而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板，很難有大幅提升的空間，因此基于...

2021-08-17 標(biāo)簽：晶體管 FET GaN 3234 0

三極管和MOS管有什么區(qū)別到底用那個(gè)好？

三極管全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。...

2021-04-12 標(biāo)簽：三極管晶體管 FET 8312 0

日本加快研發(fā)2nm hCFET晶體管

2020年12月，由日本工業(yè)技術(shù)研究院（AIST）和中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）代表的聯(lián)合研究小組宣布了用于2nm世代的Si（硅）/ Ge（硅）/...

2020-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 FET 2438 0

汽車和工業(yè)用FET選擇GaN-on-Si的原因是什么

我們要知道的是電氣化正在改變?nèi)缃竦钠囆袠I(yè)，消費(fèi)者越來(lái)越需要充電更快、續(xù)航里程更遠(yuǎn)的車輛。

2020-11-18 標(biāo)簽：FET GaN-on-Si 2548 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

WPC

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手機(jī)快充

手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
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