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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊
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解讀納微電機(jī)驅(qū)動專用型GaNSense氮化鎵功率芯片
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氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級調(diào)整為SOP-8，集成完備的保護(hù)功能：VDD過壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、...
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Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm...
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型立即下載
類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵Nexperia
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵HEMT
DK065G高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片規(guī)格書V1.1立即下載
類別：IC中文資料 2024-07-10 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵AC-DC
瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管，推動高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)
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英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌，四季度可交付樣品
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臺積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù)，力積電接手相關(guān)訂單
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納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃
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2025-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1040 0
直播預(yù)告 | @7/8 Innoscience SolidGaN領(lǐng)航氮化鎵技術(shù)，煥新便攜光儲市場
如果你想了解氮化鎵如何引領(lǐng)便攜光儲市場？那么一定不能錯過這場由大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)和英諾賽科原廠聯(lián)合舉辦的線上研討會。“InnoscienceSolidGaN...
TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合...
Anker “智控桌面充管家”再添雙星！鎵未來GaN賦能極簡美學(xué)新視界
GaNext助力|極簡桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時代，鎵未來以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日，我們攜手全球消費(fèi)電子巨頭 Anker，...
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