國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車性能優(yōu)勢

國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優(yōu)勢

2023-03-15 標(biāo)簽：新能源汽車SiC功率模塊 1980 0

石英坩堝和石墨坩堝升級換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效

石英坩堝和石墨坩堝升級換代? 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效 石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用 目前，國內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅...

2022-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶硅氮化硅 2082 0

氮化硅與氮化鋁陶瓷基板究竟有何區(qū)別？

隨著電子器件特別是第三代半導(dǎo)體的興起和應(yīng)用，半導(dǎo)體器件越來越小型化、集成化、多功能化，對襯底封裝性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高導(dǎo)熱性和耐熱性、低熱...

2022-12-09 標(biāo)簽：陶瓷基板氮化硅 2255 0

中國第3代半導(dǎo)體半導(dǎo)體理想封裝材料——高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題

2022年9月，威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱...

2022-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝材料陶瓷基板 6183 0

了解一下氮化硅陶瓷基板究竟有哪些特點？

眾所周知，半導(dǎo)體器件運行產(chǎn)生時的熱量是導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效的關(guān)鍵因素，而電絕緣基板的導(dǎo)熱性是整個半導(dǎo)體器件散熱最為關(guān)鍵的。此外，由于顛簸、振動等復(fù)雜的機(jī)械...

2022-10-07 標(biāo)簽：電路板分立元件基板 2415 0

晶片表面沉積氮化硅顆粒的沉積技術(shù)

評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)...

2022-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片清洗 1832 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)...

2022-02-15 標(biāo)簽：面板設(shè)備碳化硅 4349 0

用于CVD金剛石沉積的氮化硅表面預(yù)處理報告

摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預(yù)處理（四種標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率?？瞻椎铇悠酚媚z體二氧化硅(0.25m)拋...

2022-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金剛石氮化硅 1149 0

用磷酸揭示氮化硅對二氧化硅的選擇性蝕刻機(jī)理

關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲密度，我們?nèi)A...

2021-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氮化硅 7735 0

鍺對氮化硅中紅外集成光子學(xué)的波導(dǎo)

在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片...

2021-12-16 標(biāo)簽：MiniGUI量子物理學(xué) 1752 0

簡析新型氮化硅光子集成電路實現(xiàn)極低的光學(xué)損耗

據(jù)報道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學(xué)性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無法實現(xiàn)所需的各項功能，因此出現(xiàn)...

2021-05-07 標(biāo)簽：芯片激光器氮化硅 3555 0