晶圓知識(shí)

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  基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

  一、引言 在半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素，而切割過(guò)程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致晶圓

  2025-07-14 標(biāo)簽： 晶圓 碳化硅 62 0

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  晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響

  一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多

  2025-07-12 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 碳化硅 38 0

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  三星電子全力推進(jìn)2納米制程，力爭(zhēng)在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率70%

  根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率

  2025-07-11 標(biāo)簽： 芯片 三星電子 晶圓 390 0

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  淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

  一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切

  2025-07-11 標(biāo)簽： 晶圓 碳化硅 97 0

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  TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)方案

  盡管TC Wafer晶圓系統(tǒng)已成為半導(dǎo)體溫度監(jiān)測(cè)的重要工具，但在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨多項(xiàng)技術(shù)挑戰(zhàn)。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體工藝不斷向

  2025-07-10 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 測(cè)溫系統(tǒng) 202 0

• 50.6億發(fā)力！全國(guó)首條8英寸MEMS晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線9月量產(chǎn)在即

  在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，集成電路產(chǎn)業(yè)的每一次突破都備受矚目。近日，一則振奮人心的消息傳來(lái)：總投資 50.6 億的全國(guó)首條8

  2025-07-10 標(biāo)簽： mems 晶圓 118 0

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  晶圓切割振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

  一、引言 晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，切割過(guò)程中的振動(dòng)會(huì)影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度，而進(jìn)給參數(shù)的設(shè)置對(duì)振動(dòng)產(chǎn)生及切割

  2025-07-10 標(biāo)簽： 晶圓 監(jiān)測(cè)系統(tǒng) 59 0

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  先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

  前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝，今天分享一下先進(jìn)封裝四要素中的再布線（RDL）。

  2025-07-09 標(biāo)簽： 芯片 晶圓 488 0

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  超薄晶圓切割：振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

  超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對(duì)性的振動(dòng)

  2025-07-09 標(biāo)簽： 晶圓 切割 碳化硅 106 0

• 晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因

  在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問(wèn)題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的

  2025-07-09 標(biāo)簽： 晶圓 場(chǎng)集成電路 光刻工藝 141 0

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