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      標簽　>　寬禁帶半導體

      寬禁帶半導體

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      寬禁帶半導體技術(shù)

      半導體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

      半導體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

      作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。

      2020-09-11 標簽：SiCGaN半導體器件 1.3萬 0

      什么是寬禁帶半導體？

      什么是寬禁帶半導體？

      半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

      2023-05-05 標簽：SiC氮化鎵GaN 1.1萬 0

      寬禁帶半導體是什么？

      寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷...

      2023-02-02 標簽：半導體GaAs寬禁帶半導體 9721 0

      什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢？

      GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。

      2023-03-22 標簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導體 7303 0

      第四代寬禁帶半導體材料——氮化鎵

      第一代半導體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導體材料；第二代半導體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導體材料

      2023-02-23 標簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導體 5109 0

      碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

      碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

      碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

      2023-02-03 標簽：SiC襯底碳化硅 5014 0

      氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

      氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵...

      2024-01-10 標簽：氮化鎵金屬晶格 5014 0

      氧化鎵的性能、應用和成本 氧化鎵的應用領(lǐng)域

      我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。

      2023-02-22 標簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導體 4395 0

      硫化鋅寬禁帶材料的光學性能及其影響因素

      不同方法制備ZnS材料的光學性能差別較大。CVT制備技術(shù)采用ZnS粉末原料和氣體輸運劑如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶體中引入不同程度的雜質(zhì)缺...

      2022-07-07 標簽：寬禁帶半導體 4181 0

      使用導模法生長4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

      晶體生長使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

      2022-11-23 標簽：二極管晶體氧化鎵 4158 0

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      寬禁帶半導體帖子

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      寬禁帶半導體資訊

      8英寸SiC投產(chǎn)進展加速，2025年上量

      8英寸SiC投產(chǎn)進展加速，2025年上量

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導體近日宣布，計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，包括SiC和GaN。與此同時，安世半導體的第一...

      2024-07-01 標簽：功率器件SiC寬禁帶半導體 4.7萬 0

      Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET

      基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別...

      2025-05-09 標簽：MOSFET碳化硅寬禁帶半導體 9930 0

      開關(guān)損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進軍光儲、家電市場

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設(shè)備中應用。目前來看，GaN已經(jīng)在...

      2024-07-04 標簽：SiCGaN寬禁帶半導體 5754 0

      第三代半導體技術(shù)、應用、市場全解析

      第三代半導體技術(shù)、應用、市場全解析

      寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于...

      2016-12-05 標簽：半導體SiC寬禁帶半導體 5110 0

      中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團體標準評審會順利召開

      　　12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團體標準評審會在北京市大興區(qū)天榮街9號世農(nóng)大廈3層會議室順利召開。此次評審...

      2017-12-13 標簽：寬禁帶半導體 4596 0

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      泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰(zhàn)。

      2021-11-08 標簽：示波器泰克連接器 4090 0

      日企市場份額占比超9成，國內(nèi)第四代半導體材料加速突破

      日企市場份額占比超9成，國內(nèi)第四代半導體材料加速突破

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近國內(nèi)關(guān)于第四代半導體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導體又被稱為寬...

      2023-03-27 標簽：氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導體 3910 0

      淺談寬禁帶半導體行業(yè)概況

      對于寬禁帶半導體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個行業(yè)的M...

      2022-07-05 標簽：智能制造寬禁帶半導體半導體設(shè)備 3852 0

      國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標準比對分析

      國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標準比對分析

      碳化硅具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數(shù)低及化學穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點，是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽w材料。

      2024-01-24 標簽：SiC碳化硅寬禁帶半導體 3138 0

      國內(nèi)家電市場年需電機超10億臺 BLDC電機滲透率有望持續(xù)提升

      國內(nèi)家電市場年需電機超10億臺 BLDC電機滲透率有望持續(xù)提升

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/程文智）隨著高能效電機在汽車、農(nóng)業(yè)、空調(diào)和洗衣機等領(lǐng)域的廣泛使用，全球的電機市場得到了很大的增長。據(jù)MarketsandMarke...

      2021-11-21 標簽：SiCGaN寬禁帶半導體 2917 0

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      寬禁帶半導體數(shù)據(jù)手冊

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