資料介紹
通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料中載流子遷移率的特性分析, 在原HPM 探測(cè)器的基礎(chǔ)上, 提出了探測(cè)器中半導(dǎo)體傳感器的新設(shè)計(jì), 使探測(cè)器的檢測(cè)靈敏度提高一個(gè)量級(jí); 同時(shí)研制成功S 波段HPM 探測(cè)器。在傳感器的加工方面采用了新的工藝, 并對(duì)電源進(jìn)行了改進(jìn), 使之功能完善、使用簡(jiǎn)單、具有實(shí)用性。其電源偏壓在40V時(shí),X 波段的探測(cè)器在60kW 時(shí)輸出檢測(cè)脈沖信號(hào)幅度高達(dá)9V , S 波段的探測(cè)器在600kW 時(shí)輸出檢測(cè)脈沖信號(hào)幅度高達(dá)10V , 可適用于10~ 500ns 脈寬的HPM 功率測(cè)量。
關(guān)鍵詞: 高功率微波; 功率測(cè)量; 半導(dǎo)體; 探測(cè)器
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