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由于SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度較快，使得橋式電路中串?dāng)_問(wèn)題更加嚴(yán)重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度的提升，也會(huì)降低電力電子裝置的可靠性。針對(duì)SiC MOSFET的非開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)封裝和開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問(wèn)題分別進(jìn)行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問(wèn)題的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，提供主要參數(shù)的計(jì)算方法。最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試了兩種結(jié)構(gòu)封裝SiC MOSFET的串?dāng)_問(wèn)題，并且對(duì)提出的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了其正確性以及對(duì)串?dāng)_問(wèn)題的抑制效果。
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