資料介紹
在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以 突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導體產(chǎn)業(yè)進一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應用中的顯著 性能優(yōu)勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成 熟。與第一代、第二代半導體材料相比,第三代半導體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率,電子 飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環(huán)境下,依然能夠保證性能穩(wěn)定
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