CCD（Charge-Coupled-Device）因具備高靈敏性的特點廣泛應(yīng)用于民用和軍事領(lǐng)域，然而，CCD極易受強(qiáng)光的影響，因此，研究強(qiáng)光對CCD的輻照效應(yīng)對于很多實際工作有重要參考價值。本文采用實驗研究與理論分析相結(jié)合的方法，分析了寬光譜光源（超連續(xù)譜光源和太陽光）與532nm連續(xù)激光輻照可見光面陣 CCD的干擾效應(yīng)，獲取了相關(guān)閥值數(shù)據(jù)，并對實驗得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)值擬合，驗證了飽和像元數(shù)隨光功率密度變化的經(jīng)驗公式。本文主要工作如下：

　　1、超連續(xù)譜光源輻照可見光面陣CCD。通過實驗獲得了面陣CCD的光斑飽和圖像、串?dāng)_圖像以及過飽和圖像。實驗結(jié)果表明：當(dāng)可見光面陣CCD相機(jī)入瞳處光功率密度為1.3×1010W/cm2，2.4×101w/cm2，6.9×103w/cm2，1.2×102w/cm2時，可見光面陣CCD圖像分別出現(xiàn)局域飽和、串?dāng)_、過飽和以及暫時致盲現(xiàn)象。

　　2、太陽光輻照可見光面陣CCD。根據(jù)實驗數(shù)據(jù)計算得到太陽光輻照下面陣CCD的串?dāng)_閥值范圍和暫時致盲閥值范圍。

　　3、532nm連續(xù)激光輻照可見光面陣CCD。

　?、偻ㄟ^實驗獲得了面陣CCD的光斑飽和圖像、串?dāng)_圖像以及過飽和圖像；根據(jù)實驗數(shù)據(jù)計算得到面陣CCD相機(jī)入瞳處激光功率密度為3.4×101lw/cm2，2.2×105w/cm2，1.3×103w/cm2時，可見光面陣CCD圖像分別出現(xiàn)像元飽和、串?dāng)_以及過飽和現(xiàn)象。

　?、谑褂孟嗤獍叱叽绲?32nm連續(xù)激光與超連續(xù)譜光源分別輻照可見光面陣CCD，根據(jù)實驗數(shù)據(jù)計算得到面陣CCD光敏面飽和閥值和光敏面單個像元飽和閥值，并對閥值結(jié)果進(jìn)行了比較。③實驗研究了532nm連續(xù)激光不同入射條件對可見光面陣CCD干擾效果的影響，結(jié)果表明：適當(dāng)改變?nèi)肷錀l件，可使得輻照光對面陣CCD的干擾效果優(yōu)于光束準(zhǔn)平行入射下的干擾效果。

　　4.對超連續(xù)譜光源和532mm連續(xù)激光輻照可見光面陣CCD的實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行了數(shù)值擬合，驗證了飽和像元數(shù)隨光功率密度變化的經(jīng)驗公式：lg（N）=Axlg（D+B。