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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTD18N06LT4G-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: NTD18N06LT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

詳細參數(shù)說明:
- 型號: NTD18N06LT4G-VB
- 絲印: VBE1638
- 品牌: VBsemi
- 封裝: TO252
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 60V
- 額定電流: 45A
- 導通電阻: RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.8V

應用簡介:
NTD18N06LT4G-VB是一款TO252封裝的N-Channel MOSFET,適用于中功率、中電壓的開關電源和功率放大器設計。

使用領域及作用:
1. 電源開關:適用于中功率電源開關電路,用于電子設備和通信設備等領域。
2. 電機驅(qū)動:在電機控制電路中,可用于實現(xiàn)中功率電機的高效驅(qū)動,廣泛應用于工業(yè)和汽車電動化領域。
3. 電源管理模塊:用于提高電源系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,廣泛應用于各種電子設備。
4. 電動工具和電動車:在需要中功率開關的電動工具和電動車中發(fā)揮作用,提高設備性能。

使用注意事項:
1. 嚴格遵循產(chǎn)品規(guī)格書中的電氣參數(shù)和封裝信息。
2. 在設計中考慮散熱,確保器件工作在安全的溫度范圍內(nèi)。
3. 注意輸入和輸出電壓的匹配,防止超過器件的最大額定值。
4. 確保適當?shù)碾娫春偷剡B接,以確保正常工作和防止損壞。
5. 在使用過程中遵循相關的ESD(靜電放電)防護措施,以防止損壞敏感器件。

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