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ON Semiconductor

NTMFS5832NLT1G

Power MOSFET, 40 V, 111 A, 4.2 mOhm, 5-Pin DFN, Pb-Free, Tape and Reel

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NTMFS5832NLT1G 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    1 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    111 A
  • 輸入偏置電容@25V
    2.7 nF
  • 類(lèi)型
    N溝道
  • 漏源電阻
    6.5 mΩ
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源極擊穿電壓
    40 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,20A
    3.1 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    4.2 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷@4.5V
    25 nC
  • 晶體管類(lèi)型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    13 ns
  • 反向傳輸電容@25V
    250 pF
  • 功率耗散
    96 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    27 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    8 ns
  • 上升時(shí)間
    24 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    DFN-5(5.9x4.9)

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.1 mm
  • 長(zhǎng)度
    5.1 mm
  • 寬度
    6.1 mm

NTMFS5832NLT1G EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

NTMFS5832NLT1G 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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  • NTMFS5832NLT1G
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • Rev. 1
    1年前
    Altium Library

NTMFS5832NLT1G 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip