要使一塊單片機(jī)芯片工作起來(lái)最簡(jiǎn)陋的接線方式就是單片機(jī)的最小系統(tǒng)。
STC12C5A60S2/AD/PWM系列單片機(jī)是宏晶科技生產(chǎn)的單時(shí)鐘/機(jī)器周期(1T)的單片機(jī),是高速/低功耗/超強(qiáng)抗干擾的新一代8051單片機(jī),指令代碼完全兼容傳統(tǒng)8051,但速度快8-12倍。內(nèi)部集成MAX810專用復(fù)位電路,2路PWM,8路高速10位A/D轉(zhuǎn)換(250K/S),針對(duì)電機(jī)控制,強(qiáng)干擾場(chǎng)合。
stc12c5a60s2引腳及功能
VCC:供電電壓
;GND:接地;
P0口:P0口為一個(gè)8位漏級(jí)開(kāi)路雙向I/O口,每個(gè)管腳可吸收8TTL門電流。當(dāng)P0口的管腳寫(xiě)“1”時(shí),被定義為高阻輸入。P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的第八位。在FLASH編程時(shí),P0口作為原碼輸入口,當(dāng)FLASH進(jìn)行校驗(yàn)時(shí),P0輸出原碼,此時(shí)P0外部電位必須被拉高;
P1口:P1口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口,P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。P1口管腳寫(xiě)入“1”后,電位被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入,P1口被外部下拉為低電平時(shí),將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí),P1口作為第八位地址接收;
P2口:P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P2口緩沖器可接收,輸出4個(gè)TTL門電流,當(dāng)P2口被寫(xiě)“1”時(shí),其管腳電位被內(nèi)部上拉電阻拉高,且作為輸入。作為輸入時(shí),P2口的管腳電位被外部拉低,將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。P2口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或16位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí),P2口輸出地址的高八位。在給出地址“1”時(shí),它利用內(nèi)部上拉的優(yōu)勢(shì),當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí),P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。P2口在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào);
P3口:P3口管腳是8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口,可接收輸出4個(gè)TTL門電流。當(dāng)P3口寫(xiě)入“1”后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。作為輸入時(shí),由于外部下拉為低電平,P3口將輸出電流(ILL),也是由于上拉的緣故。P3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口:
P3.0RXD(串行輸入口)
P3.1TXD(串行輸出口)
P3.2INT0(外部中斷0)
P3.3INT1(外部中斷1)
P3.4T0(記時(shí)器0外部輸入)
P3.5T1(記時(shí)器1外部輸入)
P3.6WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通)
P3.7RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通)
同時(shí)P3口同時(shí)為閃爍編程和編程校驗(yàn)接收一些控制信號(hào);
RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí),要保持RST腳兩個(gè)機(jī)器周期的高平時(shí)間;
ALE/PROG:當(dāng)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器時(shí),地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的低位字節(jié)。在FLASH編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖。在平時(shí),ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號(hào),此頻率為振蕩器頻率的1/6。因此它可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。然而要注意的是:每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。如想禁止ALE的輸出可在SFR8EH地址上置0。此時(shí),ALE只有在執(zhí)行MOVX,MOVC指令時(shí)ALE才起作用。另外,該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止,置位無(wú)效;
PSEN:外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。在由外部程序存儲(chǔ)器取址期間,每個(gè)機(jī)器周期PSEN兩次有效。但在訪問(wèn)內(nèi)部部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),這兩次有效的PSEN信號(hào)將不出現(xiàn);
EA/VPP:當(dāng)EA保持低電平時(shí),訪問(wèn)外部ROM;注意加密方式1時(shí),EA將內(nèi)部鎖定為RESET;當(dāng)EA端保持高電平時(shí),訪問(wèn)內(nèi)部ROM。在FLASH編程期間,此引腳也用于施加12V編程電源(VPP);
XTAL1:反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入;
XTAL2:來(lái)自反向振蕩器的輸出
stc12c5a60s2最小系統(tǒng)原理圖
下面STC12C5A60S2單片機(jī)的最小系統(tǒng)(注意:不同封裝的單片機(jī)引腳位置不同)。
將一塊STC12C5A60S2單片機(jī)芯片接成這樣就能工作了。
電路分析
1.供電電路:38腳接電源+5V,16腳接地,這樣便完成了單片機(jī)的供電。
2.復(fù)位電路:復(fù)位電路由電阻C3和電容R4組成。復(fù)位電路是用以完成單片機(jī)的復(fù)位初始化操作的(復(fù)位單片機(jī)RAM和各個(gè)寄存器的值的)。也就是說(shuō),在單片機(jī)還沒(méi)工作之前,我們先把寄存器的值全部復(fù)位成初始的默認(rèn)值然后再開(kāi)始工作,避免執(zhí)行程序的時(shí)候發(fā)生錯(cuò)亂。那復(fù)位電路的工作原理是怎樣的呢?在單片機(jī)沒(méi)上電的時(shí)候,電容C3兩個(gè)極板沒(méi)有電荷,在單片機(jī)上電的瞬間,電容C3兩端獲得電壓開(kāi)始充電,既然C3要充電那么就必定有電流通過(guò)R4,所以在R4兩端產(chǎn)生了瞬時(shí)電壓,這個(gè)電壓被加到了單片機(jī)的RST端,單片機(jī)的RST端得到了一個(gè)高電平便復(fù)位了。隨著時(shí)間的推移,C3充滿電了,再也沒(méi)電流通過(guò)R4了,R4兩端便沒(méi)有了電壓,單片機(jī)的RST引腳又由高電平變成了低電平,這時(shí),單片機(jī)便開(kāi)始工作了。值得注意的是,要引起單片機(jī)的復(fù)位,加在RST端的高電平必須保持在一定的時(shí)間以上(連續(xù)2個(gè)機(jī)器周期以上高電平)。值得注意的是,STC12C5A60S2內(nèi)部集成了專用復(fù)位電路,外部晶振在12MHZ一下時(shí),RST復(fù)位腳可直接接1K歐電阻到地,不需要接電容。
3.STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部集成RC振蕩器作為時(shí)鐘源,一般情況下不需要外接晶體振蕩器,可以直接使用內(nèi)部RC振蕩器。內(nèi)部RC振蕩器的精度不高,一般5V單片機(jī)為11MHZ~15MHZ之間,隨溫度變化比較大。在以后的章節(jié)中會(huì)講到什么情況下不能使用內(nèi)部時(shí)鐘。
4.STC12C5A60S2內(nèi)部ROM的大小為60KB,無(wú)需擴(kuò)展。
評(píng)論