現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
程衛(wèi)華還指出,通過將Xtacking架構(gòu)引入批量生產(chǎn),能夠顯著提升產(chǎn)品性能,縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期,從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展,同時借著5G網(wǎng)絡(luò),長江存儲64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力。
按照之前公布的消息看,在3D閃存上,長江存儲自己研發(fā)了Xtacking 3D堆棧技術(shù),今年年底預(yù)計正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,明年開始逐步提升產(chǎn)能,預(yù)計2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。
到了2020年,長江存儲將會推出128層堆棧的3D閃存,在技術(shù)上縮短甚至追上與國際一流廠商的差距——今年三星、東芝、美光等公司量產(chǎn)了96層的3D閃存,部分廠商甚至開始量產(chǎn)128層堆棧的閃存。
-
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1722瀏覽量
138153 -
存儲
+關(guān)注
關(guān)注
13文章
4533瀏覽量
87466 -
長江存儲
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
325瀏覽量
38350
發(fā)布評論請先 登錄
TechWiz LCD 3D應(yīng)用:局部液晶配向
SK海力士UFS 4.1來了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

TechWiz LCD 3D應(yīng)用:局部液晶配向
TechWiz LCD 3D應(yīng)用:局部液晶配向
3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

【半導體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識
3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

評論