Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由一個采用半橋配置的高頻GaN FET驅(qū)動器驅(qū)動。該驅(qū)動器和兩個GaN場效應(yīng)晶體管安裝在完全無接合線封裝平臺上，具有最少的封裝寄生元件。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊.pdf

TI LMG2100R026功率級采用7.0mmx4.5mmx0.89mm無鉛封裝，可輕松安裝在PCB上。其TTL邏輯兼容輸入可支持3.3V和5V邏輯電平，不受VCC 電壓影響。專有自舉電壓鉗位技術(shù)可確保增強模式GaN場效應(yīng)晶體管的柵極電壓處于安全工作范圍內(nèi)。該器件通過實現(xiàn)更易用的接口擴展了分立式GaN場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢。該器件非常適用于需要在小尺寸內(nèi)高頻、高效率運行的應(yīng)用。

特性

• 集成式半橋GaN FET和驅(qū)動器
• 93V連續(xù)電壓、100V脈沖電壓（額定值）
• 封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于PCB布局
• 高壓擺率開關(guān)，低振鈴
• 5V外部偏置電源
• 支持3.3V和5V輸入邏輯電平
• 柵極驅(qū)動器支持高達10MHz開關(guān)
• 低功耗
• 出色的傳播延遲（33ns典型值）和匹配（2ns典型值）
• 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅(qū)
• 電源軌欠壓，用于閉鎖保護
• 裸露頂部QFN封裝，用于頂部冷卻
• 較大的GND焊盤，用于底部冷卻

應(yīng)用

• 降壓、升壓、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
• LLC轉(zhuǎn)換器
• 太陽能逆變器
• 電信和服務(wù)器電源
• 電機驅(qū)動器
• 電動工具
• D類音頻放大器

簡化框圖