亚洲av成人精品日韩一区,97久久久精品综合88久久,玩弄japan白嫩少妇hd,亚洲av片不卡无码久久,玩弄人妻少妇500系列

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

韓廠首傳減產(chǎn)消息,NAND Flash市場迎供需平衡預(yù)期

科技綠洲 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2025-01-07 14:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近期,NAND Flash市場再次迎來重要變動。據(jù)媒體報(bào)道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場又傳出三星、SK海力士兩大韓廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國廠商加入減產(chǎn)行列,進(jìn)一步凸顯了當(dāng)前NAND Flash市場的嚴(yán)峻形勢。

業(yè)界人士對此表示,韓廠的減產(chǎn)舉措將有助于市場逐步回復(fù)供需平衡。隨著供應(yīng)端的收縮,市場供需關(guān)系有望得到一定程度的改善,這對于穩(wěn)定NAND Flash價(jià)格、提振市場信心具有重要意義。

同時(shí),美光及三星兩大巨頭也透露了未來的資本投資計(jì)劃。兩家公司均表示,預(yù)計(jì)2025年的NAND資本投資將放緩,重心將轉(zhuǎn)向產(chǎn)線組合的調(diào)整。具體而言,美光和三星計(jì)劃大量減產(chǎn)多層單元(MLC)產(chǎn)品,而增產(chǎn)四層單元(QLC)產(chǎn)品,以適應(yīng)市場需求的變化。

此次韓廠減產(chǎn)及美光、三星的資本投資計(jì)劃調(diào)整,無疑將為NAND Flash市場帶來新的變數(shù)。未來,隨著市場供需關(guān)系的逐步改善和產(chǎn)線組合的優(yōu)化調(diào)整,NAND Flash市場有望迎來更加穩(wěn)健的發(fā)展態(tài)勢。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1722

    瀏覽量

    138131
  • 美光
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    727

    瀏覽量

    52390
  • SK海力士
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    994

    瀏覽量

    39612
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。 其他作用 驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。 虛擬化 FLASH閃存是一種內(nèi)存
    發(fā)表于 07-03 14:33

    成都匯陽投資關(guān)于原推動減產(chǎn)+AI 需求刺激,存儲價(jià)格有望上漲

    事件 事件 一:據(jù)財(cái)聯(lián)社《 科創(chuàng)板日報(bào)》5月20日援引《 臺灣工商時(shí)報(bào)》報(bào)道 ,五大 NAND同步減產(chǎn),供給面收縮,助攻內(nèi)存市場行情,根據(jù)調(diào)查,全球市占前五大
    的頭像 發(fā)表于 06-03 15:23 ?302次閱讀

    2024年全球存儲銷售收入規(guī)模創(chuàng)歷史新高,4Q24 DRAM/NAND Flash市占排名出爐

    應(yīng)用市場疲軟的影響下,四季度DRAM和NAND Flash市場表現(xiàn)已經(jīng)出現(xiàn)了明顯分化。 站在現(xiàn)階段的時(shí)間節(jié)點(diǎn),存儲市場
    發(fā)表于 02-21 16:00 ?807次閱讀
    2024年全球存儲銷售收入規(guī)模創(chuàng)歷史新高,4Q24 DRAM/<b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>市占排名出爐

    NAND閃存價(jià)格預(yù)測:2025年將呈V型走勢

    %。這一跌幅主要源于當(dāng)前NAND閃存市場持續(xù)面臨的供過于求挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格不斷下滑,供應(yīng)商陷入虧損困境。然而,隨著市場供需關(guān)系的逐步調(diào)整,價(jià)格跌幅有望在二季度收窄至05%。 值得注意的是
    的頭像 發(fā)表于 02-18 11:03 ?1476次閱讀

    西部數(shù)據(jù)正式通知減產(chǎn)15%以縮減庫存

    近日,據(jù)外媒報(bào)道,全球NAND Flash存儲市場中的一大重要參與者——西部數(shù)據(jù),已經(jīng)正式向其客戶發(fā)出了減產(chǎn)通知。這一決定旨在縮減當(dāng)前庫存水平,以應(yīng)對
    的頭像 發(fā)表于 02-06 09:38 ?467次閱讀

    NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略

    根據(jù)知名研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦(TrendForce)最新發(fā)布的研究報(bào)告,NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)在2025年將持續(xù)面臨需求疲弱與供給過剩的雙重嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這一趨勢迫使NAND Flash的主
    的頭像 發(fā)表于 01-24 14:20 ?753次閱讀

    SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應(yīng)對市場下滑

    近日,據(jù)媒最新報(bào)道,全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對這一不利局面,各大存儲器廠商紛紛采取
    的頭像 發(fā)表于 01-20 14:43 ?669次閱讀

    【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

    的情況下保持原位,在這一過程中不管是否有電源連 接,芯片都能繼續(xù)存儲下一個(gè)值。 []()   NAND Flash 為大容量數(shù)據(jù)存儲的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案,是目前全球市場大容量非易失存儲的主流
    發(fā)表于 12-17 17:34

    鎧俠計(jì)劃12月減產(chǎn),或助NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn)

    存儲大廠鎧俠近日宣布,計(jì)劃在2024年12月實(shí)施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對當(dāng)前NAND Flash市場的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),并有望促使價(jià)格止跌回升。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 17:36 ?808次閱讀

    三星與鎧俠計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存

    近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn),并預(yù)計(jì)根據(jù)市場狀況分階段實(shí)施。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 16:18 ?663次閱讀

    DM368 NAND Flash啟動揭秘

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DM368 NAND Flash啟動揭秘.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-27 09:22 ?0次下載
    DM368 <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>啟動揭秘

    打開NAND Flash接口規(guī)范

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《打開NAND Flash接口規(guī)范.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-21 12:21 ?0次下載

    DRAM與NAND市場高增長,2024年收入飆升

    據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告,全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強(qiáng)勁增長、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價(jià)格顯著上揚(yáng)以及HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)興起的共同驅(qū)動,兩大存儲芯片
    的頭像 發(fā)表于 08-01 17:45 ?1037次閱讀

    NAND Flash的擦寫次數(shù)介紹

    NAND Flash作為非易失性存儲技術(shù)的重要一員,其擦寫次數(shù)是評估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細(xì)介紹NAND Flash的擦寫次數(shù),包括其定義、不同類型
    的頭像 發(fā)表于 07-29 17:18 ?5578次閱讀

    NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好

    在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí),我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析,包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。
    的頭像 發(fā)表于 07-29 16:59 ?2556次閱讀