300mm晶圓的厚度為775um，200mm晶圓的度為725um，這個厚度在實際封裝時太厚了。前段制程中晶圓要被處理、要在設備內和設備間傳送，這時候上面提到的厚度是合適的，可以滿足機械強度的要求，滿足晶圓的翹曲度的要求。但封裝的時候則是薄一點更好，所以要處理到100~200um左右的厚度，就要用到減薄工藝。

滿足封裝要求

降低封裝厚度

在電子設備不斷向小型化、輕薄化發(fā)展的趨勢下，對集成電路芯片的厚度有嚴格限制。通過減薄晶圓，可以使芯片在封裝后達到所需的薄型化要求，從而更好地適應各種緊湊型電子設備的設計需求，例如智能手機、平板電腦等。

更薄的芯片可以在同等空間內容納更多的電子元件，提高設備的集成度和性能。

便于封裝工藝

減薄后的晶圓在封裝過程中更容易進行引線鍵合等操作。引線鍵合是將芯片上的電極與封裝引腳連接起來的重要工藝步驟，晶圓減薄后，電極與引腳之間的距離縮短，使得鍵合線可以更短、更穩(wěn)定，降低了信號傳輸?shù)难舆t和損耗，提高了芯片的性能和可靠性。

對于一些先進的封裝技術，如晶圓級封裝（WLP）和三維封裝（3D Packaging），晶圓減薄是實現(xiàn)這些封裝技術的關鍵步驟之一。這些封裝技術可以進一步提高芯片的集成度和性能，同時降低成本。

提高散熱性能

增加熱傳導效率

芯片在工作過程中會產生大量的熱量，如果不能及時有效地散熱，會導致芯片溫度升高，影響芯片的性能和可靠性。減薄后的晶圓可以減少熱阻，提高熱傳導效率，使芯片產生的熱量能夠更快地散發(fā)出去。

例如，在高功率電子設備中，如服務器、顯卡等，散熱問題尤為重要。通過減薄晶圓，可以有效地降低芯片的工作溫度，提高設備的穩(wěn)定性和可靠性。

便于散熱設計

減薄后的晶圓可以為散熱設計提供更多的空間和可能性。例如，可以在芯片背面直接安裝散熱片或采用其他散熱技術，如熱管、散熱風扇等，提高散熱效果。

對于一些對散熱要求極高的應用領域，如航空航天、軍事等，晶圓減薄是滿足散熱需求的重要手段之一。

降低成本

減少材料消耗

晶圓減薄可以減少芯片制造過程中的材料消耗。晶圓是由硅等半導體材料制成的，價格較高。通過減薄晶圓，可以在相同直徑的晶圓上制造更多的芯片，從而降低每個芯片的材料成本。

此外，減薄后的晶圓在運輸和存儲過程中也可以節(jié)省空間和成本。

提高生產效率

晶圓減薄可以提高芯片制造的生產效率。在芯片制造過程中，晶圓的厚度會影響到一些工藝步驟的時間和效率。例如，在光刻、刻蝕等工藝中，減薄后的晶圓可以減少光線的散射和反射，提高工藝精度和效率。

同時，減薄后的晶圓在測試和封裝過程中也可以更快地進行操作，提高生產效率。