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芯片封裝測(cè)試流程詳解,具體到每一個(gè)步驟

漢通達(dá) ? 2024-04-29 08:11 ? 次閱讀
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封裝測(cè)試是將生產(chǎn)出來(lái)的合格晶圓進(jìn)行切割、焊線、塑封,使芯片電路與外部器件實(shí)現(xiàn)電氣連接,為芯片提供機(jī)械物理保護(hù),并利用測(cè)試工具,對(duì)封裝完的芯片進(jìn)行功能和性能測(cè)試。

封測(cè)環(huán)節(jié),意義重大

獲得一顆IC芯片,要經(jīng)過(guò)從設(shè)計(jì)到制造漫長(zhǎng)的流程,然而一顆芯片相當(dāng)小且薄,如果不在外施加保護(hù),會(huì)被輕易的刮傷損壞。

封測(cè)有著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用,而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封測(cè)外殼的引腳上,這些引腳又通過(guò)印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此,封測(cè)對(duì)集成電路起著重要的作用。

封測(cè)的主要流程

晶圓代工廠制造完成的晶圓在出廠前會(huì)經(jīng)過(guò)一道電性測(cè)試,稱(chēng)為晶圓可接受度測(cè)試(Wafer Acceptance Test,WAT),WAT 測(cè)試通過(guò)的晶圓將被送去封測(cè)廠。

封測(cè)廠首先對(duì)晶圓進(jìn)行中測(cè)(Chip Probe,CP)。由于工藝原因會(huì)引入各種制造缺陷,導(dǎo)致晶圓上的裸 Die 中會(huì)有一定量的殘次品, CP 測(cè)試的目的就是在封裝前將這些殘次品找出來(lái),縮減后續(xù)封測(cè)的成本。

在完成晶圓制造后,通過(guò)探針與芯片上的焊盤(pán)接觸,進(jìn)行芯片功能的測(cè)試,同時(shí)標(biāo)記不合格芯片,并在切割后進(jìn)行篩選

封測(cè)的主要工藝流程:

一、前段

晶圓減?。╳afer grinding):剛出場(chǎng)的晶圓(wafer)進(jìn)行背面減薄,達(dá)到封裝需要的厚度。在背面磨片時(shí),要在正面粘貼膠帶來(lái)保護(hù)電路區(qū)域。研磨之后,去除膠帶。

晶圓切割(wafer Saw):將晶圓粘貼在藍(lán)膜上,再將晶圓切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的Dice,再對(duì)Dice進(jìn)行清洗。

光檢查:檢查是否出現(xiàn)殘次品

芯片貼裝(Die Attach):芯片貼裝,銀漿固化(防止氧化),引線焊接。

二、后段

注塑:防止外部沖擊,用EMC(塑封料)把產(chǎn)品封測(cè)起來(lái),同時(shí)加熱硬化。

激光打字:在產(chǎn)品上刻上相應(yīng)的內(nèi)容。例如:生產(chǎn)日期、批次等等。

高溫固化:保護(hù)IC內(nèi)部結(jié)構(gòu),消除內(nèi)部應(yīng)力。

去溢料:修剪邊角。

電鍍:提高導(dǎo)電性能,增強(qiáng)可焊接性。

切片成型檢查殘次品。

這就是一個(gè)完整芯片封測(cè)的過(guò)程。因封裝技術(shù)不同,工藝流程會(huì)有所差異,且封裝過(guò)程中也會(huì)進(jìn)行檢測(cè)。封裝完成后的產(chǎn)品還需要進(jìn)行終測(cè) (Final Test,F(xiàn)T),通過(guò) FT 測(cè)試的產(chǎn)品才能對(duì)外出貨。

國(guó)內(nèi)芯片封測(cè)技術(shù)已經(jīng)走在世界前列,這為我們大力發(fā)展芯片提供了良好的基礎(chǔ)。中國(guó)封測(cè)業(yè)發(fā)展蒸蒸日上,未來(lái)幾年,芯片行業(yè)將維持一個(gè)非常可觀的增速。

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北京漢通達(dá)科技主要業(yè)務(wù)為給國(guó)內(nèi)用戶(hù)提供通用的、先進(jìn)國(guó)外測(cè)試測(cè)量設(shè)備和整體解決方案,產(chǎn)品包括多種總線形式(臺(tái)式/GPIB、VXI、PXI/PXIe、PCI/PCIe、LXI等)的測(cè)試硬件、相關(guān)軟件、海量互聯(lián)接口等。經(jīng)過(guò)二十年的發(fā)展,公司產(chǎn)品輻射全世界二十多個(gè)品牌,種類(lèi)超過(guò)1000種。值得一提的是,我公司自主研發(fā)的BMS測(cè)試產(chǎn)品、芯片測(cè)試產(chǎn)品代表了行業(yè)一線水平

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