SELA是通過刻痕和斷裂的雙重過程制備樣品，獲得高質(zhì)量截面。標準的制備過程包括以下兩個主要階段：

? 通過一個兩級精密微裂解的設備，來制備已經(jīng)預設定寬度并已做好裂解位置標記點的晶片段；

? 通過精密的納米裂解設備，來制備已經(jīng)做好裂解位置標記點的截面樣品。

季豐電子可以精準、快速地獲得樣品截面，并在一分鐘內(nèi)完成單個樣品的裂解（包括切割目標的兩側），并確保樣品擁有微米級的精度和極高的截面質(zhì)量。配備軟件和算法，可實現(xiàn)在半自動裂解過程中精確地完成定點裂片。

設備規(guī)格指標

硅晶片：任何標準的晶片材料，單芯片。

硅片類型：<100>

截面精度：±5 微米，1西格瑪（單工藝和SDO工藝）

附加材料：砷化鎵、磷化銦、或者其他具有正交晶體矢量的單晶結構。

晶片樣品厚度：80~1000um

審核編輯：劉清