DRAM芯片價格有望隨NAND溫和上漲
從第三季度開始出現nand晶片減產的效果，導致價格上漲。nand閃存將從第四季度開始上調價格。據業(yè)內人士預測，dram價格下個季度可能會反彈，但由于手機需求尚未明顯復蘇，因此上漲幅度不會太大。
據消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關注dram價格反彈的時間?！钡糠至魍ㄇ廊孕枵{整庫存，因此成品內存價格仍有可能發(fā)生變動。
業(yè)界認為，ddr5內存模塊的價格在過去一個月里上漲5%至10%后，可能會進一步上漲，因此基本產品價格也可能會上漲3至5%左右。因此，有人觀測說，高價ddr5產品將出現供應不足的情況，從而帶動dram市場的上升。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關注
關注
16文章
1845瀏覽量
115972 -
DRAM
+關注
關注
40文章
2348瀏覽量
185619 -
NAND
+關注
關注
16文章
1722瀏覽量
138134 -
存儲器
+關注
關注
38文章
7651瀏覽量
167373
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
NAND閃存價格預測：2025年將呈V型走勢
%。這一跌幅主要源于當前NAND閃存市場持續(xù)面臨的供過于求挑戰(zhàn)，導致價格不斷下滑，供應商陷入虧損困境。然而，隨著市場供需關系的逐步調整，價格跌幅有望在二季度收窄至05%。 值得注意的是
DDR4內存價格下跌，NAND閃存減產效果未顯
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現貨價格趨勢報告顯示，DRAM和NAND閃存市場近期呈現出不同的態(tài)勢。
DRAM與NAND閃存市場表現分化
近日，根據TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現貨價格趨勢報告，DRAM和NAND閃存市場近期呈現出截然不同的表現。 在DRAM方面，消費者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖，市場呈
DRAM與NAND閃存市場低迷，DRAM現貨價格持續(xù)下滑
般回暖，反而持續(xù)呈現出疲軟態(tài)勢。這一趨勢直接導致了DDR4現貨價格的持續(xù)下滑，盡管市場上存在部分買家對DDR5產品有特殊需求，并一度引發(fā)了其價格的臨時上漲，但整體來看，DRAM市場的低
鎧俠計劃12月減產，或助NAND Flash價格反轉
存儲大廠鎧俠近日宣布，計劃在2024年12月實施減產措施。此舉旨在應對當前NAND Flash市場的嚴峻挑戰(zhàn)，并有望促使價格止跌回升。
三星或受內存芯片價格下跌影響
近日，信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔憂。他預測，由于客戶庫存過剩，三星電子在2025年上半年可能會面臨內存芯片價格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出，盡管下半年芯片價格
機構:SSD價格有望在年底前因產量增需求減而下降10%
NAND閃存產品細分市場，諸如eMMC/UFS以及3D NAND晶圓購買者，也有望在新年前迎來價格下調。然而，值得注意的是，企業(yè)級SSD的購買者可能會面臨小幅的
預計第四季度DRAM市場僅HBM價格上漲
據市場研究公司TrendForce預測，2024年第四季度DRAM市場將呈現出一絲暖意，但僅限于高帶寬存儲器（HBM）領域。預計HBM價格將實現環(huán)比上漲，而通用DRAM的
DRAM與NAND閃存價格大幅下跌
近期，DRAM和NAND存儲行業(yè)再次遭遇消費者需求下滑的沖擊，導致存儲合約價格在短短一個月內出現大幅下跌。據分析公司DRAMeXchange的數據顯示，DRAM
今日看點丨消息稱驍龍 8 Gen 4 芯片價格上漲 20.68%；消息稱東風本田計劃裁員 2000 人
1. 消息稱驍龍 8 Gen 4 芯片價格 240 美元，上漲 20.68% ? 博主 @i冰宇宙 在微博分享一則消息：驍龍 8 Gen 4 芯片價格 240 美元（當前約 1702 元人
發(fā)表于 09-09 09:45
?939次閱讀
DRAM大廠第三季DDR5價格大幅上調
近日，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場傳來重磅消息，由于服務器需求持續(xù)強勁及產能排擠效應顯著，多家大廠決定在第三季度對DDR5內存價格進行新一輪調整。據供應鏈最新消息，三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知，宣布
SK海力士DDR5芯片價格或將大幅上漲
近日，據外媒報道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%，這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露，此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產能的大幅擴張，對DDR5的生產資源造成了明顯擠占。
DRAM與NAND市場迎高增長，2024年收入飆升
據集邦咨詢最新報告，全球DRAM內存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強勁增長、供需結構持續(xù)優(yōu)化、價格顯著上揚以及HBM（高帶寬內存）技術興起的共同驅動，兩大存儲芯片
TrendForce預測2025年DRAM與NAND閃存產業(yè)營收將創(chuàng)歷史新高
型產品的涌現，預計到2024年度，全球DRAM和NAND閃存產業(yè)的總營業(yè)收入有望實現75%和77%的驚人同比增長。而在此之后的2025年度，這兩大領域的營收增長勢頭仍將持續(xù)，預計DRAM
三星電子存儲芯片價格大幅上調，中國市場面臨挑戰(zhàn)與機遇
近日，三星電子宣布了一項重大市場決策，計劃在第三季度對其DRAM和NAND閃存存儲芯片進行15%-20%的價格調整。這一舉措背后，是人工智能領域對高性能存儲
工商網監(jiān)
評論