IRLR3110ZTRPBF HEXFET 功率 MOSFET 的詳細資料
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IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF這款 HEXFET 功率 MOSFET 專為工業(yè)應用而設計，利用最新的處理技術實現(xiàn)每硅面積極低的導通電阻。此設計的其他特點是 175°C 的結工作溫度、快速的開關速度和改進的重復雪崩額定值。這些特性相結合，使該設計成為用于工業(yè)應用和各種其他應用的極其高效和可靠的設備。
IRLR3110ZTRPBF主要特點
- 先進的工藝技術
- 超低導通電阻
- 175°C 工作溫度
- 快速切換
- 允許重復雪崩高達 Tjmax
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