跟蹤對(duì)于無(wú)線硬件和主機(jī)的正確配接至關(guān)重要。它確保雙向數(shù)據(jù)和控制線達(dá)到有效的邏輯電平，并防止過(guò)大的電流從主電池流向調(diào)制解調(diào)器硬件，從二次電池流向主電池和電子設(shè)備。

電路工作原理如下。首先，在將調(diào)制解調(diào)器插入主機(jī)的PCMCIA插槽之前，請(qǐng)考慮調(diào)制解調(diào)器的狀態(tài)。不應(yīng)從二次電池獲取任何能量或很少的能量，因此在這種情況下必須禁用調(diào)制解調(diào)器的電源。該次級(jí)電源的開(kāi)/關(guān)控制線為IC2的/PG有效。由于斷開(kāi)調(diào)制解調(diào)器連接時(shí)，為IC2供電的主機(jī)不存在VHH，因此IC2斷電。

由于其電源良好（/PG）輸出（內(nèi)部漏極開(kāi)路n溝道MOSFET）在斷電時(shí)提供高阻抗，因此僅吸收漏電流。雖然該/PG輸出為高阻態(tài)，但兩個(gè)電阻分壓器（R6/R7，通常通過(guò)IC1內(nèi)部的比較器監(jiān)視次級(jí)電池電壓，以及R3/R4，設(shè)置V。提高電平）通過(guò)在/ONB線路上充當(dāng)上拉電阻來(lái)關(guān)斷IC1。IC1的開(kāi)關(guān)模式升壓穩(wěn)壓器和低壓差（LDO）穩(wěn)壓器在關(guān)斷期間均被禁用。因此，當(dāng)1μA漏電流通過(guò)分壓器和1mA電流進(jìn)入IC1時(shí)，關(guān)斷期間的典型電池消耗僅為2μA。

考慮施加電源電壓時(shí)的功率要求：如果PA必須產(chǎn)生0.6W且效率為50%，則需要1.2W的輸入功率。如果它以50%占空比（發(fā)射和接收時(shí)間相等）工作，則進(jìn)入PA的RMS功率為0.6W。在 3.3V 電源電壓下，該負(fù)載吸收約 180mA 電流。如果調(diào)制解調(diào)器的其余部分從 40.3V 吸收 3mA 電流，則無(wú)線鏈路的總電源電流在 220.3V 時(shí)約為 3mA1。

IC1升壓穩(wěn)壓器可提供（在VBOOST） 來(lái)自 800.2V 電源的電流約為 7mA，來(lái)自幾乎耗盡的 Li+ 電池 （1.2V 至 9.3V） 的電流約為 0A 或更多。即便如此，PA和其余調(diào)制解調(diào)器硬件仍由效率較低的內(nèi)部LDO供電，其額定電流典型值為300mA，保證最小電流約為220mA。原因是噪聲抑制。LDO在38kHz時(shí)提供約300dB的PSRR，使其在抑制V時(shí)的PWM開(kāi)關(guān)噪聲方面具有優(yōu)勢(shì)提高.通過(guò)放寬或消除對(duì)PA電源電壓和相關(guān)RF輻射的后續(xù)噪聲抑制需求，LDO的這種內(nèi)置濾波器動(dòng)作使其更容易通過(guò)FCC輻射要求。另一方面，效率下降約為8.3%。

VBOOST在3.3V附近跟蹤VHH。二次電池充滿(mǎn)電時(shí)的電壓高于VBOOST，接近耗盡時(shí)的電壓低于VBOOST，因此LDO和升壓穩(wěn)壓器串聯(lián)提供必要的降壓/升壓功能。SEPIC、反激式和正激式配置也可以實(shí)現(xiàn)降壓/升壓功能，但它們都需要笨重且昂貴的磁性存儲(chǔ)元件（變壓器），并且缺乏LDO提供的噪聲抑制功能。在這方面，圖1所示電路優(yōu)于所有替代方案。

接下來(lái)，考慮將調(diào)制解調(diào)器卡插入主機(jī)的 PCMCIA 連接器時(shí)會(huì)發(fā)生什么情況。此操作在各個(gè)電路公共點(diǎn)（GND）之間以及所有雙向數(shù)據(jù)和控制線之間建立電氣連接。然后，主機(jī)可以使用 EN 線路啟用或禁用調(diào)制解調(diào)器硬件。如果在硬件配接時(shí)此線路最初為低電平，則所有調(diào)制解調(diào)器硬件都將被禁用，并對(duì)LDO節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生高阻抗。

IC2接通電源時(shí)，主機(jī)的V值呵呵電源（標(biāo)稱(chēng)值為3.3V）通過(guò)連接器為C1充電，IC2的最小工作電壓允許適當(dāng)?shù)纳想?，即使V。呵呵處于其范圍的低端（低于標(biāo)稱(chēng)值 10%）。一個(gè)內(nèi)部 15μs 延遲允許 V呵呵在/PG輸出變低之前建立（在V+端子處），通知主機(jī)調(diào)制解調(diào)器電路現(xiàn)在可以通過(guò)EN線啟用。/PG上的低電平（虛擬地）也將兩個(gè)電阻分壓器接地，以便正確檢測(cè)電池和升壓調(diào)節(jié)電壓。

當(dāng)連接VHH時(shí)，當(dāng)/PG變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，IC2將/ONB拉低，IC1開(kāi)始通過(guò)L1穿梭能量，將VBOOST（通過(guò)來(lái)自R3/R4的反饋）提高到大約3.7V。最初，LDO穩(wěn)壓器被擱置。當(dāng)VBOOST實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓時(shí)，它開(kāi)啟，當(dāng)LDO輸出高于2.3V時(shí)，IC1進(jìn)入跟蹤模式（它應(yīng)該已經(jīng)接近3.3V，因?yàn)閂HH已通過(guò)R2對(duì)C2充電）。跟蹤模式是IC1的一個(gè)特殊功能，它強(qiáng)制VBOOST至高于LDO電壓的300mV，由OUT和TRACK之間的連接設(shè)置。300mV 裕量允許 LDO 保持穩(wěn)壓，同時(shí)提供所需的 PSRR，直至其最大輸出電流額定值。由于跟蹤模式會(huì)自動(dòng)將升壓電壓強(qiáng)制到所需的最小值，因此LDO浪費(fèi)的電池電量最小。

當(dāng)IC1的FBLDO引腳承擔(dān)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓（標(biāo)稱(chēng)值為1.23V）時(shí)，LDO處于穩(wěn)壓狀態(tài)。該FBLDO電壓由通過(guò)R5的電流產(chǎn)生，該電流與通過(guò)R2的電流成正比。也就是說(shuō)，IC2具有傳遞函數(shù)VOUT = gm（VSENSE）R5，其中VOUT是R5兩端的電壓，VSENSE是RS+和RS-端子（R2）兩端的電壓，gm = 10-2 mho。處于穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)，VOUT = VFBLDO = 1.23V。因此

VSENSE = VFBLDO/（gm*R5）.

在關(guān)系 VLDO = VHH + VSENSE 中替換 VSENSE，

VLDO = VHH + VFBLDO/（gm*R5）.

用圖1電路的數(shù)值代入，

LDO = VHH + 1.23/（10-2*104） = VHH + 12.3mV。

將R5設(shè)置為10kΩ強(qiáng)制檢測(cè)電壓為12.3mV。知道了這一點(diǎn)，可以選擇R2來(lái)編程從LDO流向V的電流量呵呵.例如，在R2 = 1kΩ時(shí)，該R2電流約為12μA。

IC2（高端電流檢測(cè)放大器）的預(yù)期用途是使用低值高功率精密電流檢測(cè)電阻器對(duì)高端電流進(jìn)行精密測(cè)量。這種應(yīng)用不同尋常，因?yàn)榫葹?0%的低功率電流檢測(cè)電阻器很好（例如，1/16W表面貼裝型）。我們不在乎有多少電流從LDO流向V。呵呵.我們只關(guān)心它仍然很小。

作為高值（1kΩ）檢流電阻的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，V短路或意外重負(fù)載線性分布器只能從主機(jī)通過(guò)R3吸收3.2mA左右的電流，這幾乎不足以導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。R2不必大至1kΩ;IC2消耗約800mA電流，因此設(shè)置R2 = 12mV/800μA = 15W允許LDO節(jié)點(diǎn)（而不是主機(jī)）為IC2供電。

在另一種配置中，IC2的V+節(jié)點(diǎn)可以直接連接到LDO而不是VHH。然后IC2從LDO接收電源，但上電時(shí)除外，當(dāng)電源來(lái)自VHH通過(guò)R2時(shí)。這種安排要求關(guān)閉PA和調(diào)制解調(diào)器硬件，從而向LDO提供高阻抗，與R2不形成明顯的分壓，并且R2足夠小，以確保V+允許的最小電壓以保證工作（3V）。例如，如果VHH = 3.6V或更高，則R2必須小于375Ω。該值確保IC2的0.8mA工作電流在VHH范圍（3.6V - 10%）的低端下降不超過(guò)0.3V。

肖特基二極管（D2、D3）與R2并聯(lián)可保護(hù)IC2免受RS+和RS-之間的過(guò)壓影響。它們引入小的漏電流，但不會(huì)影響電路行為。與R5并聯(lián)的電容器通過(guò)將LDO反饋節(jié)點(diǎn)上的高頻噪聲分流到地來(lái)確保平滑穩(wěn)定的VLDO電壓。如前所述，IC1包括一個(gè)具有非專(zhuān)用輸入和輸出的比較器。在該電路中，它監(jiān)控二次電池電壓，并在剩余能量接近維持通信鏈路的關(guān)鍵水平時(shí)向主機(jī)發(fā)出警報(bào)。

請(qǐng)注意，圖1中的電路可以適應(yīng)上述條件之外的一系列條件。例如，它與適合將無(wú)線調(diào)制解調(diào)器與手持設(shè)備配接的其他通信總線兼容。其中包括卡總線和新興的通用串行總線（USB）。該電路還接受高達(dá)5V標(biāo)稱(chēng)值的主機(jī)電源電壓。為了提高效率，一些應(yīng)用將PA直接連接到VBOOST而不是VLDO。在這種情況下，VBOOST不需要跟蹤VLDO;電壓可以通過(guò)獨(dú)立的反饋電阻組單獨(dú)控制。

IC1從1.1V開(kāi)始，工作電壓低至0.7V，因此即使是兩節(jié)NiMH二次電池也適用于需要較低RF輸出功率的升壓應(yīng)用。最后，IC1通常作為低噪聲PWM穩(wěn)壓器工作在開(kāi)關(guān)頻率為~300kHz的重負(fù)載下。如有必要，您可以通過(guò)將其頻率（通過(guò) CLK/SEL 線路）同步到 200kHz 至 400kHz 范圍內(nèi)的外部源來(lái)控制該波形的諧波能量成分。對(duì)于輻射和傳導(dǎo)能量相對(duì)較低的輕負(fù)載條件，您可以強(qiáng)制IC1（同樣通過(guò)CLK / SEL線）進(jìn)入脈沖頻率調(diào)制（PFM）模式，以提供最高的效率和最長(zhǎng)的電池壽命。

審核編輯：郭婷